STD35P6LLF6

STD35P6LLF6是ST意法半导体推出的STripFET F6系列中的一款高性能P沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺技术制造，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能。其核心架构优化了单元密度与电荷平衡，有效降低了栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），从而在保证高电流处理能力的同时，显著提升了开关效率并减少了开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达60V，为负载开关、电源转换及电机驱动等应用提供了充足的电压裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值可达35A，展现出强大的电流承载能力。更关键的是，其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs、17.5A Id条件下典型值仅为28毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，配合4.5V至10V的标准驱动电压范围，使其能够轻松兼容主流逻辑电平控制器，简化了驱动电路设计。

在接口与参数方面，该器件采用标准的表面贴装DPAK封装，具有良好的功率耗散能力，在壳温条件下最大功率耗散为70W。其工作结温高达175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。电气参数上，最大栅极电荷（Qg）低至30nC（@4.5V），这有助于降低驱动损耗并实现更快的开关速度。同时，其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了稳健的栅极保护。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

基于其优异的性能组合，STD35P6LLF6非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或高端开关、电池管理系统（BMS）中的负载开关与保护电路、电机驱动控制中的H桥或预驱动级，以及各类工业电源、适配器和计算设备中的功率管理模块。其P沟道特性在某些拓扑中（如高端开关）可以简化驱动，避免使用自举电路，从而优化系统成本和PCB布局。

• 型号:STD35P6LLF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 35A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3780 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD35P6LLF6是ST意法半导体STripFET F6系列中的一款P沟道功率MOSFET，采用表面贴装DPAK封装。该器件设计用于高效功率开关，其核心优势在于60V的漏源电压（Vdss）和高达35A的连续漏极电流（Id）处理能力，为中等功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优异平衡。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为28毫欧，这能有效降低导通状态下的功率损耗。同时，最大栅极电荷（Qg）低至30nC，有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为同步整流、负载开关和电机驱动等应用的理想选择。