STD4LN80K5

STD4LN80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单晶片上实现了超结（Super-Junction）效应，其核心优势在于显著降低了单位芯片面积下的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的乘积，即优值系数（FOM），从而在高压开关应用中实现了效率与开关速度的卓越平衡。

该MOSFET具备800V的高漏源击穿电压（Vdss），为应对工业环境中的电压浪涌和开关尖峰提供了充足的余量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为3A。其导通电阻在10V驱动电压、1A电流条件下典型值仅为2.6欧姆，较低的Rds(on)直接转化为导通状态下的更低功耗和更少的热量产生。同时，其栅极电荷（Qg）最大值低至3.7nC（@10V），结合122pF的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的开关能量极小，这不仅简化了栅极驱动设计，降低了驱动损耗，还允许器件在更高的频率下工作，有助于缩小磁性元件的体积。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±30V，提供了稳健的驱动保护。

器件采用标准的表面贴装DPAK封装，具有良好的功率耗散能力，在壳温条件下最大功耗为60W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理进行采购与咨询。凭借其高耐压、低损耗和快速开关特性，STD4LN80K5非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动辅助电源等应用场景，是提升系统能效和功率密度的理想选择。

• 型号:STD4LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 3A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:122 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD4LN80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心额定参数为800V漏源电压（Vdss）与3A连续漏极电流（Id），专为高效功率转换设计。

其技术亮点在于优异的动态性能平衡：较低的导通电阻（2.6Ω @10V）确保了导通损耗的最小化，而极低的栅极电荷（3.7nC）则大幅降低了开关损耗，并允许更高频率的操作。结合±30V的宽栅极电压耐受范围和高达150°C的工作结温，该器件为要求高可靠性与高能效的开关电源应用提供了稳健的解决方案。