STD64N4F6AG

作为ST意法半导体旗下Automotive, AEC-Q101系列中STripFET F6技术的代表性产品，STD64N4F6AG是一款采用N沟道设计的功率MOSFET。该器件基于先进的平面MOSFET技术优化，其核心设计目标是在紧凑的封装内实现极低的导通损耗与出色的开关性能平衡。其40V的漏源电压（Vdss）额定值，结合高达54A（Tc）的连续漏极电流能力，使其在需要处理中等电压、大电流的功率路径中表现出色，尤其适用于空间受限但对功率密度要求苛刻的应用环境。

该芯片的功能特点突出体现在其卓越的能效上。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值极低，最大值仅为8.2毫欧（@27A），这直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生，提升了系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在44nC（@10V），有助于降低开关损耗，并允许使用更小、更经济的栅极驱动器，简化了电路设计。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和高达60W（Tc）的功率耗散能力，确保了器件在严苛环境下的可靠性与鲁棒性。对于需要稳定供应链的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取此型号产品。

在接口与关键参数方面，STD64N4F6AG采用标准的表面贴装DPAK封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了足够的驱动安全裕量。阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V（@250A），属于标准逻辑电平兼容范围，便于与常见的控制器直接接口。输入电容（Ciss）最大值为2415pF（@25V），这一参数与低Qg特性共同决定了其快速的开关响应速度，这对于高频开关应用至关重要。

综合其技术规格，STD64N4F6AG非常适合于汽车电子领域的各类应用，如电机驱动（车窗升降器、风扇、泵）、负载开关、以及DC-DC转换器中的同步整流或主开关。其符合AEC-Q101标准，意味着它通过了严格的汽车级可靠性测试，能够满足引擎舱内高温、高振动环境的要求。此外，在工业自动化、电源管理和电池保护电路等需要高效率、高可靠功率开关的场合，该器件也是一个经过验证的优选方案。

• 型号:STD64N4F6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 54A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):54A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.2 毫欧 @ 27A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2415 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD64N4F6AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET F6技术的产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心优势在于其优异的能效表现，在40V漏源电压和高达54A连续电流能力下，实现了极低的导通电阻（最大8.2mΩ @10V）与优化的开关特性（栅极电荷最大44nC），有效降低了传导与开关损耗。

其设计兼顾了高性能与高可靠性，工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功率耗散为60W，确保了在严苛的汽车及工业环境下的稳定运行。这些特性使其成为汽车电机驱动、负载开关、DC-DC转换以及各类高效电源管理应用的理想功率开关解决方案。