STD6N52K3

STD6N52K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用表面贴装型DPAK封装，专为高效率、高可靠性的功率开关应用而设计。其核心架构通过优化的单元设计和工艺技术，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻，从而实现了优异的功率密度和开关性能平衡。

该MOSFET的额定漏源电压（Vdss）高达525V，使其能够从容应对工业级AC-DC转换、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为5A，结合仅1.2欧姆（在Vgs=10V， Id=2.5A条件下）的最大导通电阻，确保了在导通期间具有较低的传导损耗，有助于提升系统整体效率。其栅极驱动特性也经过精心优化，最大栅源电压（Vgs）为±30V，而栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，提供了良好的噪声抑制能力和与常见控制器IC的兼容性。

在接口与热性能方面，STD6N52K3采用标准的DPAK（TO-252）封装，便于自动化贴装并具有良好的散热能力。其最大功率耗散为70W（壳温条件下），最高结温（TJ）可达150°C，这为设计者提供了充裕的热设计余量，保障了器件在严苛环境下的长期运行稳定性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取正品器件及相关设计资源。

凭借其高耐压、低导通电阻和稳健的封装，STD6N52K3非常适用于开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及低功率电机驱动和逆变器等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升能源转换效率，减小系统体积，并增强产品的可靠性，是工程师实现高性能、高性价比功率电子设计的优选器件之一。

• 型号:STD6N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取STD6N52K3的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STD6N52K3是ST意法半导体推出的一款采用SuperMESH3技术的N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。该器件核心优势在于其525V的高漏源电压（Vdss）与仅1.2欧姆的低导通电阻（Rds(on)）的良好结合，在提供强大电压阻断能力的同时，有效降低了导通损耗。

其5A的连续漏极电流（Id）额定值和70W的功率耗散能力，配合150°C的最高工作结温，确保了在紧凑设计下的高功率处理能力和可靠的热性能。这些特性使其成为要求高效率和高可靠性的中压功率开关应用的理想选择，例如开关电源和电机控制。