STD6NF10T4

STD6NF10T4是ST意法半导体基于其成熟的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面工艺和优化的单元结构，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的良好平衡。其核心设计聚焦于提升功率转换效率与热性能，内部结构经过精心优化，以降低寄生电容和栅极电荷，这对于高频开关应用中的损耗控制至关重要。封装采用标准的表面贴装DPAK形式，具有良好的功率处理能力和散热特性，便于在紧凑的PCB布局中实现可靠的焊接与热管理。

在电气性能方面，该器件展现出显著的优势。其漏源击穿电压（Vdss）高达100V，为离线式电源、电机驱动等应用提供了充足的电压裕量。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）额定值为6A，表明其具备可观的电流处理能力。尤为关键的是，其在10V栅极驱动电压、3A漏极电流条件下的导通电阻（Rds(on)）典型值非常低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，最大栅极电荷（Qg）仅为14nC，结合280pF的输入电容（Ciss），意味着栅极驱动电路的设计可以更为简化，开关速度更快，开关损耗得以进一步降低。

该MOSFET的接口与控制参数设计兼顾了易用性与鲁棒性。其栅极阈值电压（Vgs(th)）典型值适中，确保了可靠的开启与关断，同时栅源电压（Vgs）最大可承受±20V，提供了较强的抗干扰能力。其工作结温范围宽达-65°C至175°C，使其能够适应苛刻的环境温度条件。功率耗散能力在壳温条件下为30W，结合DPAK封装的热特性，允许器件在持续功率应用中稳定运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的详细信息、样品以及本地化的应用支持。

基于上述技术特性，STD6NF10T4非常适用于需要高效率和高可靠性的中功率开关场景。典型应用包括AC-DC开关电源中的初级侧或次级侧同步整流、DC-DC转换器（如降压、升压拓扑）、低压电机驱动与控制电路（例如风扇、泵类驱动）、以及电池保护电路和负载开关等。其优异的性能组合使其成为工业自动化、消费类电子电源适配器、汽车电子辅助系统以及各类嵌入式电力电子设计中功率开关部分的理想选择。

• 型号:STD6NF10T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 6A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取STD6NF10T4的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STD6NF10T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心参数针对高效功率开关应用进行了优化。

其关键电气规格包括100V的漏源电压（Vdss）和6A的连续漏极电流（Id），提供了坚实的功率处理基础。突出的性能亮点在于其低导通特性，在10V Vgs、3A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）极低，同时栅极电荷（Qg）最大值仅为14nC。这一组合显著降低了导通与开关损耗，有助于提升整体系统效率。器件支持-65°C至175°C的宽结温范围，确保了在各类环境下的稳定性和可靠性。