STD70NH02LT4

STD70NH02LT4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，通过优化单元结构和沟道设计，在紧凑的DPAK封装内实现了优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on) * Qg），这一指标是衡量开关效率与损耗的关键。其架构旨在提供稳健的雪崩耐量和低反向恢复电荷，确保了在开关应用中的可靠性与耐用性。

该MOSFET的核心优势在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、30A漏极电流条件下，典型值仅为8毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为22nC，结合适中的输入电容，使得开关速度快，驱动需求简单，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路设计。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.8V，与标准逻辑电平兼容性好，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动。

在电气参数方面，STD70NH02LT4的漏源击穿电压（Vdss）为24V，适用于低压电源环境。在壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达60A，峰值电流处理能力强。器件的栅源电压（Vgs）可承受±20V，提供了较高的驱动噪声容限。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，并采用表面贴装型DPAK封装，具有良好的功率耗散能力（最大70W @ Tc），适合自动化贴装和高密度PCB布局。用户可通过官方ST代理获取详细的技术支持与供货信息。

凭借其高性能指标，这款MOSFET非常适合用于要求高效率和高电流密度的低压同步整流、DC-DC转换器（尤其是降压拓扑）、电机驱动控制以及电池保护电路等应用场景。在这些领域中，其低导通电阻有助于减少热损耗，而快速的开关特性则能提升电源的瞬态响应和整体能效，是紧凑型、高可靠性电源管理解决方案中的关键功率开关元件。

• 型号:STD70NH02LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 60A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD70NH02LT4是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET II技术，封装于DPAK。其核心电气特性包括24V的漏源电压（Vdss）以及在壳温条件下高达60A的连续漏极电流（Id）处理能力。

该器件的突出卖点在于其优异的开关性能与导通特性：在10V Vgs、30A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至8毫欧，有效降低了导通损耗；同时，最大栅极电荷（Qg）仅为22nC，确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗。这些特性使其成为高效率、高功率密度设计的理想选择。