STD7NK30Z

STD7NK30Z是ST意法半导体基于其成熟的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟道结构，通过优化单元密度和沟道设计，在维持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。其核心在于实现了300V漏源击穿电压(Vdss)与低导通电阻(Rds(on))之间的优异平衡，这对于提升开关电源等应用的效率至关重要。内部结构经过精心设计，以最小化寄生电容，特别是栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)，这直接关系到开关速度和驱动损耗。

在电气特性方面，该MOSFET在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值较低，当漏极电流为2.5A时，其最大值仅为900毫欧。这一特性确保了在导通状态下具有较低的功率损耗。其栅极阈值电压(Vgs(th))设计合理，最大值在50A漏极电流下为4.5V，提供了良好的噪声抑制能力和驱动简易性。此外，最大栅极电荷(Qg)被控制在13nC（@10V），结合380pF（@25V）的输入电容，使得器件能够实现快速的开关转换，有效降低开关损耗，尤其适用于高频开关电路。其栅源电压可承受±30V，为驱动电路提供了宽裕的安全裕度。

该器件采用表面贴装型DPAK封装，具有良好的热性能和功率处理能力，在管壳温度(Tc)下最大功率耗散可达50W，连续漏极电流(Id)额定值为5A。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应苛刻的环境条件。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取相关的技术资料与库存信息。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中仍具参考价值。

基于其电压与电流规格，STD7NK30Z非常适合应用于离线式开关电源(SMPS)的初级侧开关、功率因数校正(PFC)电路、高频逆变器以及电机驱动控制等场合。在这些应用中，其高耐压特性能够有效应对交流输入整流后的高压总线，而优异的开关特性有助于提升系统整体能效和功率密度，是工程师在构建高效、紧凑型功率转换解决方案时可考虑的关键功率开关元件之一。

• 型号:STD7NK30Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD7NK30Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其300V的漏源电压(Vdss)耐受能力与5A的连续漏极电流(Id)承载能力的紧密结合，为中等功率应用提供了可靠的开关基础。

其技术亮点包括在10V驱动下较低的导通电阻（最大值900mΩ @ 2.5A）以及优化的动态参数，如最大13nC的栅极电荷(Qg)和380pF的输入电容(Ciss)，这共同确保了较低的导通损耗与快速的开关响应。器件采用DPAK表面贴装封装，最大功耗50W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求高鲁棒性的工业环境。