STF11N50M2

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STF11N50M2是一款采用TO-220FP封装的N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的MDmesh II Plus产品系列。该器件基于优化的垂直结构设计，旨在实现高压开关应用中的高效率与高可靠性。其核心架构通过创新的单元布局和工艺技术，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），这一平衡对于提升开关电源的整体能效至关重要。

在功能特性上，STF11N50M2展现了出色的电气性能。其漏源击穿电压（Vdss）高达500V，能够从容应对工业级AC-DC变换器或电机驱动中常见的电压应力。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）额定值为8A，确保了足够的电流处理能力。尤为突出的是，在10V栅极驱动电压、4A漏极电流的测试条件下，其导通电阻最大值仅为530毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值在10V Vgs下仅为12nC，结合较低的输入电容（Ciss），意味着所需的驱动能量更小，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度，从而降低开关损耗。

该器件的接口与参数设计充分考虑了应用的便捷性与鲁棒性。它采用标准的通孔TO-220FP封装，便于安装散热器以管理热耗散，其最大功率耗散为25W（Tc）。栅极-源极电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了较宽的驱动安全裕度。阈值电压Vgs(th)最大值为4V（在250A漏极电流下），具备良好的噪声抑制能力。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，适应严苛的环境要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过正规的ST授权代理渠道获取该产品的技术支持和库存信息。

基于其500V/8A的规格和MDmesh II Plus技术带来的优异开关性能，STF11N50M2非常适用于对效率和成本有较高要求的离线式开关电源（SMPS），如PC电源、LED驱动电源和工业电源模块。此外，它在电子镇流器、PFC（功率因数校正）电路以及中小功率的电机控制、逆变器系统中也能发挥关键作用，是实现紧凑、高效功率转换解决方案的可靠选择。

• 型号:STF11N50M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:530 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:395 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF11N50M2是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP通孔封装。作为MDmesh II Plus系列的一员，该器件核心优势在于其高压与低损耗的平衡设计，具备500V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id）处理能力。

其关键电气参数凸显了高效开关特性：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为530毫欧（@4A），有效降低了导通损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值低至12nC（@10V），有助于实现快速开关并减少驱动损耗。这些特性使其成为要求高效率的开关电源（SMPS）和功率转换应用的理想选择。