STF12N50M2

STF12N50M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻与快速开关特性的卓越平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺改进，显著降低了栅极电荷和内部电容，这对于提升开关电源等应用的整体效率至关重要。得益于这种架构，工程师能够在高电压、大电流的苛刻条件下，获得更优的性能与可靠性。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其额定漏源电压高达500V，连续漏极电流在壳温条件下可达10A，为离线式开关电源、功率因数校正等应用提供了充足的电压和电流余量。导通电阻在5A电流和10V驱动电压下典型值仅为380毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，其栅极电荷最大值控制在15nC，输入电容也处于较低水平，这共同确保了快速的开关瞬态和更低的驱动损耗，有助于提升系统在高频工作下的效率。其栅源电压最大可承受±25V，提供了稳健的驱动兼容性。

在接口与参数方面，STF12N50M2采用通孔安装的TO-220FP封装，这种封装在提供良好散热能力的同时，也兼顾了机械强度。其最大功耗为85W，结合宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C），使其能够适应严苛的环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的ST一级代理进行采购是确保产品正宗和供应链可靠的重要途径。这些参数共同定义了一款适用于高效率、高可靠性设计的功率开关器件。

基于其性能组合，STF12N50M2非常适合于需要高效能功率转换的各类场景。它是开关模式电源中初级侧开关的理想选择，特别是在反激式、正激式拓扑中。此外，在功率因数校正电路、电机驱动控制、照明镇流器以及不同断电源等工业级和消费类电子设备中，该器件都能发挥关键作用，帮助设计者实现更紧凑、更高效和更可靠的电源解决方案。

• 型号:STF12N50M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:560 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF12N50M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心额定参数为500V漏源电压和10A连续漏极电流，为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上：最大380毫欧的低导通电阻有效降低了导通损耗，而最大仅15nC的栅极电荷则确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗。这些特性使其特别适用于追求高效率和高功率密度的开关电源、PFC及电机控制等应用领域。