STF13NM50N

作为ST意法半导体MDmesh II系列中的一员，STF13NM50N是一款采用先进垂直结构设计的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元密度和专利的电荷平衡技术，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。这种设计使得器件在高压开关应用中能够有效降低传导损耗，同时维持快速的开关特性，为电源系统的效率提升奠定了物理基础。

该器件提供了500V的漏源击穿电压(Vdss)和12A的连续漏极电流(Id)能力，展现了其处理高功率的潜力。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、6A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为320毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。此外，其栅极电荷(Qg)最大值控制在30nC，结合960pF的输入电容，意味着所需的驱动能量较低，有助于简化驱动电路设计并提升高频开关性能。

在接口与参数方面，STF13NM50N采用标准的TO-220FP通孔封装，具有良好的机械强度和散热特性，其最大结温可达150°C。栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，而最大栅源电压可承受±25V，提供了较强的抗干扰能力。阈值电压Vgs(th)最大值为4V，确保了良好的噪声抑制和可靠的关断状态。对于需要可靠供应链和技术支持的开发者，可以通过官方授权的ST中国代理获取相关产品信息与设计资源。

凭借其高压、低阻、快速开关的特性组合，这款MOSFET非常适用于要求高效率和高可靠性的离线式开关电源(SMPS)初级侧开关、功率因数校正(PFC)电路、电机驱动逆变器以及照明镇流器等应用场景。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备和备件维修市场中，它仍然是一个经典且经过验证的高性能功率开关解决方案，其设计理念也延续到了后续更新的产品系列中。

• 型号:STF13NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF13NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心参数包括500V的漏源电压(Vdss)和12A的连续漏极电流(Id)，具备处理中高功率应用的能力。

其技术优势突出体现在优异的开关性能上：在10V栅极驱动下，导通电阻(Rds(on))最大值低至320毫欧，能显著降低导通损耗；同时，最大栅极电荷(Qg)仅为30nC，有利于实现快速开关并减少驱动损耗。这些特性使其成为追求高效率的开关电源和功率转换设计的理想选择。