STF15N80K5

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STF15N80K5是一款基于先进SuperMESH5技术平台开发的N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过创新的单元设计和制造工艺，在维持高阻断电压能力的同时，显著改善了单位面积下的导通电阻与栅极电荷乘积（RDS(on) * Qg）这一关键品质因数。这一核心架构的升级，使得器件在开关速度、导通损耗和系统效率方面实现了出色的平衡，特别适用于对能效和功率密度有严苛要求的现代开关电源拓扑。

得益于SuperMESH5技术，该MOSFET展现出卓越的功能特性。其800V的漏源击穿电压（Vdss）提供了充足的电压裕量，增强了系统在浪涌和开关瞬态过程中的可靠性。在导通特性上，其导通电阻（RDS(on)）典型值在10V驱动电压下表现优异，这直接转化为更低的导通损耗和发热。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数确保了快速的开关切换，有助于降低开关损耗并允许使用更小、更经济的驱动电路，从而简化系统设计并提升整体性能。

在电气参数与物理接口方面，STF15N80K5在25°C壳温（Tc）条件下可连续通过高达14A的漏极电流，最大功耗为35W。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电平为10V，最大可承受±30V的栅源电压，增强了设计的灵活性。器件采用经典的TO-220FP绝缘封装，这种通孔安装方式兼顾了良好的机械强度、散热性能以及与散热片的电气隔离需求，方便在各类电源板卡上集成。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

综合其高耐压、低损耗和快速开关的特性，STF15N80K5非常适合于一系列高效能功率转换应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中功率因数校正（PFC）电路和直流-直流变换器主开关的理想选择，尤其适用于台式电脑电源、服务器电源和工业电源。此外，在照明领域，它可用于高性能LED驱动电源；在工业控制中，也适用于电机驱动、逆变器和UPS（不间断电源）系统中的功率开关部分，为工程师提供了一个在效率、可靠性和成本之间取得优异平衡的解决方案。

• 型号:STF15N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:375 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF15N80K5是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格包括800V的漏源电压（Vdss）和14A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的电压与电流处理能力基础。

其技术亮点在于通过SuperMESH5技术实现了优异的动态性能与静态损耗的平衡。具体表现为较低的导通电阻（RDS(on)）和优化的栅极电荷（Qg），这有助于显著降低导通与开关损耗，提升整体能效。宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）和35W的功率耗散能力，确保了其在各种环境下的可靠性与稳定性。