STF15NM60N

STF15NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，通过降低单元密度和优化电荷平衡，在保持高阻断电压能力的同时，显著改善了开关性能与导通损耗之间的权衡关系。其核心设计旨在处理高压开关应用，600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC线路电压的波动与尖峰，为系统提供可靠的电压裕量。

在功能特性上，该器件展现出优异的电气性能。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）可达14A，配合低至299毫欧的导通电阻（Rds(on)）（测试条件：7A，10V），能够有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。其栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压即可实现完全导通，且栅极电荷（Qg）最大值仅为37nC，这有助于降低开关过程中的驱动损耗，并允许使用更简洁、高效的栅极驱动电路，从而加快开关速度，减少开关损耗。对于需要技术支持与稳定供应的用户，可以通过官方授权的ST代理商获取详细的技术资料与采购信息。

在接口与参数方面，STF15NM60N采用通孔安装的TO-220FP封装，这种封装具有良好的机械强度和散热特性，其最大功率耗散为30W（Tc）。器件的栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了较宽的驱动安全范围。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V，具备一定的抗干扰能力。输入电容（Ciss）为1250pF，结合低栅极电荷特性，共同决定了其快速的开关响应。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在苛刻环境下的稳定运行能力。

得益于其高压、低损耗及快速开关的特性，STF15NM60N非常适用于对效率和可靠性有较高要求的功率转换场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不同断电源（UPS）以及高频照明镇流器等。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过市场验证的性能，使其在既有设备的维护与特定设计项目中仍具参考价值。

• 型号:STF15NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF15NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和14A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的导通与开关性能平衡。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）低至299毫欧，能有效减少导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值37nC）和输入电容有利于实现快速开关，降低开关损耗，从而提升整体电源系统的效率与功率密度。