STF18NM80

STF18NM80是ST意法半导体基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心架构通过创新的单元布局和栅极设计，有效降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备一系列突出的功能特点。其800V的漏源击穿电压（Vdss）提供了宽裕的安全工作裕量，使其能够从容应对工业电源、电机驱动等应用中常见的电压应力和尖峰。在25°C壳温条件下，器件可支持高达17A的连续漏极电流，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻在10V驱动电压、8.5A电流条件下典型值仅为295毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热，有助于简化散热设计。此外，70nC的栅极电荷（Qg）与2070pF的输入电容（Ciss）处于优化水平，有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，并降低对栅极驱动电路的要求。

在接口与关键参数方面，STF18NM80采用标准的TO-220FP绝缘封装，这种通孔安装形式便于机械固定和散热器安装，同时其绝缘特性增强了系统的安全性。器件栅极驱动电压范围宽，标准驱动电压为10V，最大可承受±30V的栅源电压，提供了设计的灵活性。其最高结温可达150°C，结合40W（Tc）的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理进行采购与咨询。

凭借高耐压、低导通电阻和良好的开关性能，STF18NM80非常适用于对效率和可靠性要求较高的应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑的理想选择，同样适用于工业电机驱动、不间断电源（UPS）、电焊机和照明镇流器等功率转换与控制领域。其稳健的设计使其能够满足工业级应用对长期稳定性的严苛需求。

• 型号:STF18NM80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 17A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2070 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF18NM80是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用TO-220FP绝缘封装，核心参数包括800V的漏源电压（Vdss）和17A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的导通特性上，在10V驱动电压下导通电阻（Rds(on)）低至295毫欧，配合70nC的栅极电荷（Qg），有效降低了导通与开关损耗，从而提升系统整体能效。高达150°C的结温（Tj）和40W的功率耗散能力，进一步保障了其在工业电源、电机驱动等严苛环境下的长期运行可靠性。