STF19NM65N

STF19NM65N是ST意法半导体基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，在单晶片上实现了优异的电荷平衡，这使其在保持高阻断电压能力的同时，显著优化了导通电阻与栅极电荷的乘积（RDS(on) * Qg），这一指标是衡量开关损耗和效率的关键。其核心架构旨在满足高效率功率转换对开关性能的严苛要求，通过精细的单元结构和工艺控制，确保了器件在高频开关应用中的稳定性和可靠性。

该MOSFET的突出特性在于其650V的高漏源击穿电压（Vdss）与低至270毫欧的导通电阻（RDS(on)）的出色结合。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值可达15.5A，展现了强大的电流处理能力。其栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压即可实现完全导通，而栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。此外，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为55nC，配合1900pF的输入电容（Ciss），意味着开关过程中的驱动损耗较低，有助于提升系统整体效率，尤其适用于高频开关电源拓扑。

在电气参数方面，STF19NM65N的Vgs电压范围宽至±25V，为栅极驱动电路设计提供了充裕的安全裕量。其最大结温（Tj）高达150°C，功率耗散能力为35W（Tc），结合TO-220FP封装良好的热性能，使其能够在高温环境下稳定工作。通孔安装的TO-220FP封装形式兼顾了散热与机械强度，便于在各类功率板上进行装配。对于需要可靠货源和深度技术支持的客户，通过正规的ST一级代理进行采购是确保产品正宗和获得完整供应链服务的重要途径。

凭借其高耐压、低导通损耗和快速开关特性，STF19NM65N非常适合于对效率和功率密度有较高要求的离线式开关电源（SMPS）应用，如服务器电源、通信电源和工业电源的PFC（功率因数校正）电路及DC-DC变换器主开关。它也适用于电机驱动、照明镇流器以及UPS（不间断电源）系统中的功率开关环节。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过市场验证的性能，使其在现有系统的维护、备件供应或特定长期项目中仍具参考价值。

• 型号:STF19NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 7.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF19NM65N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心电气参数包括650V的漏源电压（Vdss）和15.5A的连续漏极电流（Id），具备强大的高压大电流处理能力。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的平衡，典型导通电阻（RDS(on)）低至270毫欧，同时栅极电荷（Qg）最大值仅为55nC。这种特性组合能有效降低导通损耗和开关损耗，提升电源系统的整体转换效率。器件支持高达150°C的结温工作，确保了在严苛环境下的可靠性，主要面向高效率开关电源、功率因数校正（PFC）及电机控制等应用领域。