STF20N95K5

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STF20N95K5是一款采用先进SuperMESH5技术平台的高压N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220FP封装，专为在严苛环境下实现高效率、高可靠性的功率开关应用而设计。其核心架构通过优化单元密度和工艺技术，在高达950V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡，这对于降低开关损耗和传导损耗至关重要。

在功能特性方面，STF20N95K5展现出卓越的电气性能。其导通电阻在10V驱动电压、9A漏极电流条件下典型值仅为330毫欧，确保了在导通状态下极低的功率耗散。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在40nC（@10V），结合1500pF（@100V）的输入电容（Ciss），意味着器件具备快速的开关速度和较低的驱动需求，有助于简化栅极驱动电路设计并提升系统整体频率响应。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±30V，提供了宽裕的安全工作裕度。

该器件的接口与参数设定充分考虑了工业应用的鲁棒性。它在25°C壳温（Tc）下可支持高达17.5A的连续漏极电流，最大功率耗散为40W（Tc）。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V（@100A），提供了良好的噪声抑制能力。工作结温范围覆盖-55°C至150°C，使其能够适应从消费电子到工业电源等广泛的环境温度要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取正品器件与技术资料。

基于其高耐压、低损耗和快速开关的特性，STF20N95K5非常适用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关电路、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及照明镇流器等。在这些系统中，它能够有效提升能效等级，减少散热需求，并增强系统在高压条件下的长期运行稳定性。

• 型号:STF20N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 17.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF20N95K5是ST意法半导体SuperMESH5系列中的一款高压N沟道MOSFET，采用TO-220FP通孔封装。该器件核心优势在于其950V的高漏源击穿电压与17.5A（Tc）的连续漏极电流能力，结合低至330毫欧（@9A,10V）的导通电阻，为高功率应用提供了优异的传导性能。

此外，其优化的动态特性，包括最大40nC的栅极电荷和1500pF的输入电容，确保了快速的开关切换，有助于降低开关损耗并提升系统效率。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，具备高鲁棒性，适用于要求严苛的工业环境。