STF24N60DM2

STF24N60DM2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在硅片层面实现了导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）之间的出色平衡。其核心在于通过改进的单元结构和外延层工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时保持了快速开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其600V的漏源击穿电压（V_DSS）确保了在工业级AC-DC电源、电机驱动等高压应用中的可靠性与安全裕度。在25°C壳温条件下，器件可连续通过高达18A的漏极电流。尤为关键的是，其在10V栅极驱动电压、9A漏极电流条件下的导通电阻典型值低至200毫欧，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。此外，其栅极总电荷（Q_G）最大值仅为29nC（@10V），结合1055pF的输入电容，意味着所需的栅极驱动能量更小，有助于简化驱动电路设计并实现更高的开关频率，从而减小磁性元件的体积。

在接口与参数方面，该器件采用经典的TO-220通孔封装，便于安装散热器以实现高效的热管理，其最大功率耗散为30W（壳温）。其栅源电压（V_GS）耐受范围为±25V，提供了宽裕的驱动安全窗口。阈值电压V_GS(th)最大值为5V，具备良好的噪声抑制能力。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应苛刻的环境条件。对于需要可靠供应链保障的设计项目，通过ST授权代理进行采购是确保产品正宗与供货稳定的推荐途径。

凭借其高压、低损耗和快速开关的综合优势，STF24N60DM2非常适用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不同断电源（UPS）以及电焊机等功率转换设备。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，降低温升，并有助于实现更紧凑的整机设计。

• 型号:STF24N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220 整包
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:200 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1055 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220 整包
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF24N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II Plus产品系列。该器件采用TO-220封装，核心规格包括600V的漏源电压（V_DSS）和18A的连续漏极电流（I_D），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）低至200毫欧（@9A），显著降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Q_G，最大29nC）和输入电容确保了快速的开关速度，有利于提升系统效率和工作频率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和工业逆变器等高效能功率转换设计的理想选择。