STF24NM60N

STF24NM60N是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了低导通电阻与高开关速度的出色平衡。其核心在于多外延层与特殊单元几何结构的结合，有效降低了单元密度，从而显著减少了寄生电容，特别是栅极电荷(Qg)和输出电荷(Qoss)，这对于提升高频开关性能至关重要。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压(Vdss)和17A的连续漏极电流(Id)能力，为高压应用提供了坚实的耐压和载流基础。其导通电阻(Rds(on))在10V驱动电压、8A电流条件下典型值仅为190毫欧，这意味着在导通状态下具有较低的功率损耗，有助于提升系统整体能效。同时，极低的栅极电荷(典型值46nC @ 10V)和输入电容特性，使得驱动电路的设计更为简化，开关过渡过程更快，开关损耗得以有效控制。其栅源电压(Vgs)支持高达±30V，提供了良好的抗干扰能力和驱动灵活性。

在电气参数方面，STF24NM60N的阈值电压(Vgs(th))最大值为4V，确保了良好的噪声抑制能力。器件采用通孔安装的TO-220FP封装，这种封装在提供良好散热性能的同时，其引脚排布也优化了PCB布局的便利性。其最大结温(TJ)范围为-55°C至150°C，允许在宽温度环境下稳定工作，最大功率耗散为30W（基于壳温）。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取产品、样片以及详细的设计资源。

凭借其高压、大电流、低损耗和高开关频率的综合特性，这款器件非常适用于对效率和功率密度有较高要求的离线式开关电源(SMPS)的功率因数校正(PFC)和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不同断电源(UPS)以及高效照明镇流器等应用场景。其稳健的设计使其成为构建高可靠性、高效率功率转换系统的关键组件之一。

• 型号:STF24NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF24NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件设计用于高压开关应用，核心参数包括600V的漏源电压(Vdss)和17A的连续漏极电流(Id)，提供了强大的功率处理能力。

其关键优势在于实现了低导通损耗与快速开关特性的结合。在10V栅极驱动下，导通电阻(Rds(on))典型值仅为190毫欧，同时栅极电荷(Qg)低至46nC，这共同确保了高效率的功率转换。器件采用TO-220FP封装，支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，适用于要求严苛的工业与消费类电源设计。