STF25N10F7

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STF25N10F7是一款采用N沟道技术的功率MOSFET，隶属于其先进的STripFET VII产品系列，并应用了DeepGATE技术。该器件采用TO-220FP封装，专为高效功率转换和开关应用而设计。其核心架构通过优化单元密度和沟道设计，在给定的芯片面积内实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与优异的栅极电荷（Qg）平衡，这对于提升系统效率、降低开关损耗至关重要。

在功能特性上，该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）为100V，在25°C壳温条件下可支持高达19A的连续漏极电流。其导通电阻在10V栅源驱动电压、12.5A漏极电流条件下，最大值仅为35毫欧，确保了在导通状态下具有较低的功率损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）在10V条件下仅为14nC，结合920pF（最大值）的输入电容，意味着器件具备快速的开关速度和较低的驱动需求，有助于简化栅极驱动电路设计并提升整体开关频率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，提供了良好的噪声抑制能力，而±20V的最大栅源电压则提供了宽裕的安全工作裕度。

从接口与参数来看，STF25N10F7采用标准的通孔安装TO-220FP封装，便于散热器安装和机械固定。其最大功率耗散能力为25W（Tc），结温工作范围宽达-55°C至175°C，保证了其在严苛环境下的可靠运行。尽管该产品目前已处于停产状态，但其技术规格在特定应用领域仍具有参考价值，用户可通过ST中国代理等渠道咨询库存或替代方案信息。

该器件典型的应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧或次级侧整流与同步整流、DC-DC转换器、电机驱动控制以及各类需要高效功率开关的工业设备中。其低导通电阻与快速开关特性的结合，使其非常适合用于提升中功率应用的能效和功率密度。

• 型号:STF25N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 19A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:920 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF25N10F7是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。其核心规格包括100V的漏源电压（Vdss）和19A（Tc）的连续漏极电流，适用于中功率开关应用。

该器件基于STripFET VII技术与DeepGATE工艺，实现了低至35毫欧（@12.5A, 10V）的导通电阻与仅14nC（@10V）的栅极电荷，这一组合有效降低了导通与开关损耗。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和25W（Tc）的功率耗散能力，确保了在 demanding 环境下的稳定运行。