STF27N60M2-EP

STF27N60M2-EP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M2-EP技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡，其核心在于通过改进的单元结构和外延层工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了出色的开关特性。这种架构使得器件在高压开关应用中能够有效管理功率损耗，提升整体能效。

该MOSFET的突出特性包括高达600V的漏源击穿电压（Vdss）和在25°C壳温下20A的连续漏极电流（Id）能力。其导通电阻在典型工作条件下表现出色，在10A电流和10V栅极驱动电压下，最大值仅为163毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和发热量。栅极电荷（Qg）最大值控制在33nC（@10V），结合1320pF（@100V）的输入电容（Ciss），意味着器件具备较快的开关速度和较低的驱动需求，有助于简化栅极驱动电路设计并减少开关损耗。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±25V，提供了稳健的驱动安全裕度。

在电气参数方面，该器件设计用于宽范围的工作条件。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.75V（@250A），确保了良好的噪声免疫能力和明确的导通/关断状态。最大功率耗散为30W（Tc），结合宽广的结温工作范围（-55°C至150°C），使其能够适应严苛的环境要求和高负载应用。封装形式为TO-220FP，这是一种常见的通孔安装封装，具有良好的机械强度和散热性能，便于在电源板卡上进行安装和热管理。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关性能，STF27N60M2-EP非常适用于需要高效能和高可靠性的离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制以及工业照明（如LED驱动）等应用场景。在这些领域中，它能够作为主开关管或同步整流管，有效提升系统效率和功率密度。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

• 型号:STF27N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:163 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1320 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF27N60M2-EP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2-EP产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心电气规格包括600V的漏源电压（Vdss）和在壳温25°C下20A的连续漏极电流（Id）额定值。

其技术优势主要体现在低损耗特性上，在10A电流和10V栅极电压条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为163毫欧，同时栅极电荷（Qg）最大值低至33nC。这些参数共同确保了器件在高频开关应用中兼具低传导损耗和快速的开关响应。此外，其结温工作范围覆盖-55°C至150°C，采用TO-220FP通孔封装，适用于对效率和可靠性有严苛要求的工业级电源与驱动解决方案。