STF28NM60ND

STF28NM60ND是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于通过精密的单元布局和沟槽栅技术，有效降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了稳健的雪崩耐量和快速的开关特性，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业级AC-DC变换、电机驱动等应用中的高压母线环境。在导通特性方面，其最大导通电阻仅为150毫欧（在10V Vgs， 11.5A Id条件下），这意味着在传导过程中产生的损耗极低，有助于提升系统整体能效。其栅极电荷（Qg）典型值较低，结合适中的输入电容（Ciss），使得器件在开关过程中所需的驱动能量较小，有利于实现更高频率的开关操作并简化驱动电路设计。

在电气参数上，STF28NM60ND在壳温（Tc）条件下可支持高达23A的连续漏极电流，最大功耗为35W，展现了较强的电流处理与散热能力。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±25V，提供了宽裕的驱动安全余量。器件采用TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装封装，便于通过外部散热器进行高效的热管理，确保其在高达150°C的结温（Tj）下稳定工作。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取此型号及相关技术资源。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关性能，这款器件非常适用于要求高可靠性和高效率的功率电子领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不间断电源（UPS）以及电焊机等设备。它能够有效降低系统能耗和温升，提升功率密度，是工程师设计下一代高效能电力电子系统的有力选择之一。

• 型号:STF28NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 23A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF28NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）以及在壳温下23A的连续漏极电流处理能力。

其技术优势主要体现在低损耗特性上，最大导通电阻（Rds(on)）仅为150毫欧（@10V， 11.5A），配合较低的栅极电荷，共同确保了高效率的功率转换与快速的开关性能。这些特性使其成为工业级开关电源、电机驱动和UPS等应用中，构建高可靠性、高能效功率级电路的理想选择。