STGW15H120F2

意法半导体推出的STGW15H120F2是一款采用先进沟槽型场截止技术的绝缘栅双极型晶体管。该架构在传统沟槽栅结构基础上，通过引入场截止层，有效优化了漂移区的电场分布，从而在保持较低导通压降的同时，实现了高达1200V的集射极击穿电压。这种设计显著降低了器件的整体损耗，使其在高压开关应用中兼具高效率与高可靠性。

该器件集成了多项旨在提升性能的特性。其最大集电极电流可达30A，脉冲电流能力更高达60A，提供了充足的电流裕量。在典型的15V栅极驱动电压、15A集电极电流条件下，饱和压降Vce(on)最大值仅为2.6V，这直接转化为更低的导通损耗。同时，其开关性能经过精心优化，开启延迟时间仅23ns，关断延迟为111ns，总开关能量较低，有助于降低高频应用中的开关损耗并简化散热设计。标准输入类型与67nC的栅极电荷使其易于驱动，可与多种主流栅极驱动器兼容。

在电气参数方面，STGW15H120F2的额定功率为259W，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。器件采用经典的TO-247-3通孔封装，具有良好的机械强度和成熟的散热处理方案，便于在功率板上安装与散热管理。对于需要可靠供应链与技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借1200V的高耐压、15A的额定电流以及优异的开关特性，这款IGBT非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。它常见于工业电机驱动、不间断电源、太阳能逆变器以及焊接设备等领域的功率转换模块中，是实现紧凑、高效能功率拓扑设计的理想选择。

• 型号:STGW15H120F2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A
• 功率 - 最大值:259 W
• 开关能量:380J（导通），370J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:67 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns
• 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
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STGW15H120F2是ST意法半导体推出的一款高性能1200V、15A沟槽型场截止IGBT，采用TO-247封装。其核心优势在于平衡了低损耗与高可靠性，在15A电流下典型饱和压降仅为2.6V，有效降低了导通损耗。

该器件具备30A的最大集电极电流和60A的脉冲电流能力，开关速度快，总开关能量低，有助于提升系统效率并简化热管理。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）使其能够适应苛刻的工业环境，是电机驱动、太阳能逆变器和UPS等高压功率转换应用的理想解决方案。