STF36N60M6

STF36N60M6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在为高压开关应用提供卓越的能效和可靠性。其核心架构通过精心设计的单元布局和先进的沟槽工艺，在确保高击穿电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），从而有效减少了传导损耗，提升了整体功率转换效率。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其600V的漏源击穿电压（V_DSS）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等应用中的高压应力环境。在25°C壳温条件下，器件可支持高达30A的连续漏极电流，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻在典型工作条件下（15A，10V V_{GS）最大值仅为99毫欧，这一低RDS(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。此外，其栅极电荷（QG）典型值较低，有助于降低开关损耗，实现更高频率的开关操作，这对于提升开关电源的功率密度至关重要。}

在接口与关键参数方面，STF36N60M6采用标准的10V驱动电压，栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.75V，确保了与主流控制IC的良好兼容性和抗干扰能力。其栅极-源极电压（V_GS）可承受±25V的范围，提供了充足的驱动安全裕量。器件采用经典的TO-220FP封装，这种通孔安装形式兼顾了优异的散热性能和机械强度，其最大功率耗散能力为40W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的稳定运行。如需获取官方技术支持和正品供应，可以联系ST授权代理。

凭借其高性能指标，STF36N60M6非常适用于对效率和可靠性要求苛刻的应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中功率因数校正（PFC）电路和DC-DC变换器主开关的理想选择，尤其适用于服务器电源、通信电源等工业级设备。同时，在电机驱动与控制领域，如变频器、伺服驱动器以及不间断电源（UPS）系统中，该器件也能高效地执行开关功能，实现精准的功率控制与能量管理。

• 型号:STF36N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF36N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件设计用于高压、高电流的开关应用，核心参数包括600V的漏源电压（V_DSS）和30A的连续漏极电流（I_D），提供了坚固的电气耐受性。

其技术优势体现在极低的导通电阻（R_DS(on)），在10V栅极驱动下典型值仅为99毫欧（@15A），这能显著降低导通状态下的功率损耗。配合优化的栅极电荷（Q_g）特性，器件实现了传导损耗与开关损耗之间的出色平衡，有助于提升整体系统效率。TO-220FP封装确保了良好的热管理能力，支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，适用于要求高可靠性的工业环境。