STP50N65DM6

STP50N65DM6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和先进的工艺技术，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了出色的开关性能和坚固的雪崩耐量，为高效能功率转换应用提供了可靠的半导体解决方案。

该MOSFET具备一系列突出的电气特性。其650V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在导通特性方面，器件在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值低至91毫欧（在16.5A条件下测量），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）典型值仅为52.5nC，结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗，简化栅极驱动电路设计，并提升开关频率，从而支持更紧凑的磁性元件设计。

在接口与参数层面，STP50N65DM6采用经典的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）25°C时可达33A，最大功耗为250W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。器件具有±25V的栅源电压耐受范围，提供了足够的驱动安全裕量。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品以及相关的设计资源。

凭借其高电压、低损耗和高可靠性的特点，这款MOSFET非常适用于要求严苛的功率电子应用。其主要应用场景包括工业开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑、UPS（不间断电源）系统、电机驱动与变频器、电焊机以及照明镇流器等。在这些领域中，它能够有效提升能源转换效率，减少热管理负担，并最终帮助终端产品实现更小的体积、更高的功率密度和更长的使用寿命。

• 型号:STP50N65DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 33A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:91 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2300 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP50N65DM6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用TO-220封装，核心规格为650V漏源电压和33A连续漏极电流，专为高效、高可靠性的功率开关应用而设计。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为91毫欧，有助于最小化传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值52.5nC）和输入电容特性，确保了快速的开关速度和较低的开关损耗，有利于提升系统整体效率和工作频率。