STF3LN80K5

STF3LN80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220FP封装，专为高压开关应用而设计，其核心架构通过优化单元密度和栅极设计，在800V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了导通损耗与开关性能的出色平衡。这种架构确保了器件在高电压应力下的可靠性与稳定性，为电源转换系统提供了一个高效且坚固的半导体解决方案。

该MOSFET的功能特点突出体现在其优异的动态与静态参数上。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接有助于减少传导损耗，提升系统整体效率。其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）值均保持在较低水平，这意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。此外，器件具备±30V的宽栅源电压（Vgs）耐受范围和高达150°C的结温（TJ）工作能力，赋予了设计者更大的灵活性和系统鲁棒性。

在接口与关键参数层面，STF3LN80K5提供了明确的设计边界。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下额定为2A，最大功率耗散为20W（Tc）。这些参数与TO-220FP通孔封装相结合，既保证了良好的散热性能，也便于在标准PCB上进行安装。对于需要本地技术支持和稳定供货渠道的设计团队，可以联系ST中国代理获取详细的产品资料、样品以及应用支持。

基于其高压、高效和快速开关的特性，这款MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动等场景。在这些应用中，它能够有效处理高电压，同时通过降低损耗来提升能源转换效率，并凭借其坚固性确保终端产品在严苛环境下的长期稳定运行。

• 型号:STF3LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.25 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.63 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:102 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF3LN80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh K5技术，封装形式为TO-220FP。其核心卖点在于高达800V的漏源电压（Vdss）额定值，结合较低的导通电阻，为高压开关应用提供了高效率与低损耗的解决方案。

该器件在动态性能上表现突出，具备较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），支持快速的开关频率，有助于减小驱动损耗并优化电源拓扑设计。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠性与稳定性，适用于要求严苛的工业与消费类电源领域。