STF3N80K5

STF3N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。其核心在于通过第五代SuperMESH技术，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时保持了出色的开关性能和雪崩耐量，这使其在高压开关应用中能够有效降低导通损耗，提升整体系统效率。

该MOSFET具备800V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）电路等场合中常见的电压应力与开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为2.5A。其导通电阻特性尤为突出，在10V栅极驱动电压、1A漏极电流的测试条件下，Rds(on)最大值仅为3.5欧姆，这一低导通电阻特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。其栅极电荷（Qg）最大值控制在9.5nC（@10V），结合130pF（@100V）的输入电容（Ciss），意味着器件具有较快的开关速度和较低的驱动需求，有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗。

在接口与参数方面，STF3N80K5采用标准的TO-220FP绝缘封装，这种封装提供了良好的机械强度和散热能力，其最大功率耗散为20W（Tc）。器件的栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，确保了驱动层面的安全裕度。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V（@100A），属于标准逻辑电平兼容范围，便于与常见的控制器或驱动器对接。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）保证了其在严苛环境下的可靠性与稳定性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理渠道进行采购与咨询。

得益于其高压、低损耗和快速开关的特性，该器件非常适合应用于各类离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、照明应用的电子镇流器、辅助电源以及小功率电机驱动和继电器替代等场景。在反激式、正激式等拓扑中，它能有效提升电源的功率密度和能效等级。其坚固的设计也使其能够承受一定的雪崩能量，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。

• 型号:STF3N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:130 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF3N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心额定参数为800V漏源电压（Vdss）和2.5A连续漏极电流（Id），专为高压开关应用而优化。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为3.5欧姆 @ 1A，有效降低了导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值低至9.5nC @ 10V，有助于实现快速开关并减少驱动损耗。这些特性使其成为提升开关电源效率与功率密度的理想选择。