STF4N80K5

STF4N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构旨在为高压开关应用提供坚固可靠的性能基础，内部集成的体二极管具有快速恢复特性，有助于提升系统在硬开关拓扑中的效率与可靠性。

作为SuperMESH5系列的一员，该MOSFET展现了多项关键性能优势。其800V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业及消费类电源中常见的电网电压波动与开关尖峰，为设计提供了充裕的安全裕量。在导通特性方面，在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计，使得开关频率可以进一步提升。

在电气参数上，该器件在25°C壳温（Tc）下可连续通过3A的漏极电流，最大功耗为20W。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值设计为5V，确保了良好的噪声免疫能力，而±30V的最大栅源电压则提供了宽裕的驱动电压选择范围。该MOSFET采用TO-220FP封装，这是一种经典的绝缘型通孔封装，其塑封体与金属散热片之间具有电气隔离特性，方便了散热器的安装并简化了系统绝缘设计。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的环境。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取详细的产品资料、样品及供货信息。

凭借其高压、低损耗和坚固的封装特性，STF4N80K5非常适合于各类离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明用电子镇流器以及电机驱动控制等应用场景。在反激式、正激式等拓扑中，它能有效提升电源的功率密度和整体能效，是工程师设计高性能、高可靠性功率转换系统的优选功率开关器件之一。

• 型号:STF4N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:175 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF4N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-220FP绝缘封装，核心参数包括800V的漏源电压（Vdss）和3A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于通过优化的SuperMESH5技术，实现了低至2.5欧姆（@10V，1.5A）的导通电阻，这有助于显著降低导通损耗，提升系统效率。同时，优化的栅极电荷（10.5nC @10V）和输入电容特性，确保了快速的开关速度和较低的驱动需求，使其适用于要求高效率和高开关频率的功率转换设计。