STF60N55F3

STF60N55F3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺，通过优化的单元结构和制造流程，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。其核心设计目标是在55V的中等电压等级下，提供极低的功率损耗和高频开关性能，这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、32A漏极电流条件下仅为8.5毫欧，这一低阻值直接转化为导通状态下的低功耗和低热量产生。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值控制在45nC（@10V），结合2200pF的输入电容（Ciss），意味着器件在开关过程中所需的驱动能量较小，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度，从而降低开关损耗。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度，而阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力。

在封装与可靠性方面，STF60N55F3采用TO-220FP通孔封装，这是一种广泛使用、散热性能良好的封装形式，便于安装在散热器上。其最大连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）25°C时可达42A，最大功率耗散为30W（Tc），结温（Tj）工作范围宽达-55°C至175°C，展现了强大的电流处理能力和宽温区工作稳定性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品的库存与技术资料。需要注意的是，该器件目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代产品。

凭借其优异的性能组合，STF60N55F3非常适用于对效率和功率密度有较高要求的各类中功率开关应用场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路中的H桥或半桥拓扑、以及不间断电源（UPS）和工业电源中的功率开关部分。其快速开关特性和低导通电阻使其能在这些应用中有效减少能量损失，提升系统整体能效。

• 型号:STF60N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 42A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 32A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF60N55F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET III产品系列。该器件采用TO-220FP封装，设计用于55V电压等级的中等功率应用。

其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值极低，在32A电流时仅为8.5毫欧，确保了导通状态下的高效率。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大45nC）和输入电容（Ciss）使其具备快速的开关能力，有助于降低开关损耗并提升工作频率。该器件在壳温25°C时可连续通过42A电流，并支持-55°C至175°C的宽结温工作范围，提供了可靠的功率处理能力和环境适应性。