STF6N95K5

STF6N95K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心在于通过第五代SuperMESH工艺，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时保持了出色的开关特性和雪崩耐量，为高压开关应用提供了高效可靠的半导体解决方案。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。高达950V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的电网电压波动和感性负载关断时产生的电压尖峰，为系统提供了充裕的安全裕量。在导通性能方面，其在10V驱动电压下，导通电阻典型值较低，这意味着在导通状态下具有更小的功率损耗，有助于提升整体能效。此外，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以更高，从而有可能减小系统中磁性元件的体积。

在封装与可靠性层面，STF6N95K5采用TO-220FP封装，这是一种广泛使用的通孔安装形式，具有良好的机械强度和散热能力。其最大结温（Tj）可达150°C，配合25W（Tc）的功率耗散能力，确保了器件在严苛环境下的稳定运行。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，提供了较强的抗干扰能力。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理渠道进行采购与咨询。

凭借其高耐压、高效率和高可靠性的特点，这款MOSFET非常适用于需要高压开关和功率转换的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、工业电机驱动与控制的逆变器部分、以及UPS（不间断电源）和太阳能逆变器等新能源设备中的功率级。在这些应用中，它能够有效提升系统功率密度和能源转换效率，是工程师设计高性能、高可靠性功率系统的优选器件之一。

• 型号:STF6N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF6N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件设计用于高压环境，其核心参数包括950V的漏源电压（Vdss）和9A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。

其技术亮点在于优化的动态与静态性能。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）表现优异，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性有利于实现更快的开关速度和更低的开关损耗，从而提升整体系统效率。器件采用TO-220FP通孔封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各类应用环境下的稳定性和可靠性。