STF7LN80K5

STF7LN80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单晶片上实现了超结（Super-Junction）效应，通过精心设计的电荷平衡技术，显著降低了单位面积下的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）的乘积，即优值系数（FOM），从而在高压开关应用中达成了效率与开关速度的卓越平衡。

其核心特性在于800V的高漏源击穿电压（V_DSS）与低至1.15Ω（典型值）的导通电阻。在10V的标准栅极驱动电压下，该器件能够提供高达5A的连续漏极电流（I_D），确保了强大的功率处理能力。同时，其栅极电荷（Q_G）典型值仅为12nC，结合约270pF的输入电容（C_iss），使得开关过程中的栅极驱动损耗显著降低，有利于提升高频开关电源的整体效率并简化驱动电路设计。其栅源电压（V_GS）耐受范围达±30V，提供了良好的抗干扰鲁棒性。

在电气参数方面，该器件在25°C壳温（T_C）下的最大功率耗散为25W，其导通电阻与阈值电压（V_GS(th)）均具备良好的温度稳定性。封装形式为TO-220FP，这是一种经典的绝缘型通孔封装，其背部金属片与内部电路绝缘，方便安装散热器而无需额外绝缘垫片，提升了系统的散热效率与组装便利性。其宽泛的工作结温（T_J）范围覆盖-55°C至150°C，保证了其在严苛环境下的可靠运行。

得益于其高压、低损耗的特性，STF7LN80K5非常适用于需要高效能功率转换的场合。典型应用包括离线式开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、照明系统的电子镇流器和LED驱动，以及工业电机驱动和逆变器的辅助电源。对于需要稳定供货与技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

• 型号:STF7LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF7LN80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh产品系列。该器件采用TO-220FP绝缘封装，核心规格为800V漏源电压（Vdss）和5A连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的耐压与载流基础。

其技术优势体现在优异的动态性能上。在10V驱动电压下，其导通电阻（RdsOn）最大值仅为1.15欧姆，同时栅极电荷（Qg）典型值低至12nC。这种低导通损耗与低开关损耗的结合，使其特别适用于追求高效率的开关电源设计。此外，其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各种环境下的稳定性和可靠性。