STF7N90K5

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STF7N90K5是一款采用先进MDmesh K5技术平台的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直结构设计，在单位面积内实现了极低的导通电阻（RDS(on)）与栅极电荷（Qg）的优异平衡，这一特性使其在硬开关和软开关拓扑中均能展现高效率。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了开关损耗和传导损耗，为高电压、高频率应用提供了可靠的半导体解决方案。

该MOSFET具备900V的漏源击穿电压（Vdss）和7A的连续漏极电流（Id）能力，确保了其在高压环境下的稳定运行与高功率处理潜力。其栅极驱动电压标准为10V，阈值电压Vgs(th)最大值为5V，这提供了良好的噪声抑制能力和易驱动性。同时，±30V的最大栅源电压赋予了其坚固的栅极可靠性。在热管理方面，器件在管壳温度（Tc）下最大功率耗散可达110W，结合TO-220FP封装优良的散热特性，能够有效管理工作中产生的热量，其结温工作范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的工作环境。

在接口与参数层面，STF7N90K5采用通孔安装的TO-220FP封装，这是一种广泛使用且便于散热设计的封装形式。其优异的动态特性，包括较低的栅极电荷和输入电容，有助于减少开关过程中的延迟与损耗，提升系统整体频率响应。对于需要可靠元器件供应链的客户，可以通过授权的ST代理商获取原厂正品与技术支援。

凭借高耐压、低损耗和强健的热性能，这款器件非常适合应用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用场景包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主逆变级、照明系统的电子镇流器与LED驱动电源，以及不同断电源（UPS）和太阳能逆变器等新能源转换系统。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，减小散热器尺寸，从而优化整体方案的功率密度与成本。

• 型号:STF7N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF7N90K5是ST意法半导体基于MDmesh K5技术开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高压环境，其核心特性包括900V的漏源电压（Vdss）和7A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。

其技术优势在于实现了导通电阻与栅极电荷的良好折衷，有助于降低开关损耗和传导损耗，从而提升系统整体效率。器件采用TO-220FP通孔封装，最大功率耗散为110W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在 demanding 应用中的可靠性和热稳定性。