STFI13NK60Z

STFI13NK60Z是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH系列N沟道功率MOSFET，采用通孔I2PAKFP（TO-281）封装。该器件基于先进的垂直DMOS结构，通过优化的单元设计和工艺技术，在硅片层面实现了高击穿电压与低导通电阻的出色平衡。其核心架构旨在最大限度地减少寄生电容和栅极电荷，从而提升开关性能并降低开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。

该MOSFET的显著特性包括高达600V的漏源击穿电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id）承载能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压下典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体能效。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）是其关键优势，有助于简化驱动电路设计，减少驱动功率需求，并实现更快的开关速度。此外，其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了良好的抗噪性和驱动灵活性。

在电气参数方面，STFI13NK60Z在25°C管壳温度下最大功耗为35W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在宽温环境下的可靠运行。其阈值电压（Vgs(th)）设计合理，有助于防止误触发。这些参数共同定义了一款适用于中高功率离线式开关应用的稳健功率开关器件。用户可通过授权的ST一级代理获取完整的技术资料、样品支持与供应链服务。

凭借其高电压、低损耗和快速开关的特性，该器件非常适合应用于要求严苛的功率转换领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关拓扑、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动辅助电源以及UPS（不间断电源）系统中的功率级。其设计平衡了性能与成本，是工程师在构建高效、紧凑型功率解决方案时的可靠选择。

• 型号:STFI13NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:92 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2030 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STFI13NK60Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用I2PAKFP通孔封装。该器件核心优势在于其600V的高漏源电压（Vdss）与13A的连续漏极电流（Id）能力，结合优化的低导通电阻，为高压开关应用提供了高效的功率处理基础。

其技术亮点包括极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这显著降低了开关损耗并提升了开关频率潜力，从而有助于设计出更紧凑、高效的电源。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和35W的功率耗散能力，确保了其在恶劣环境下的稳定性和可靠性。