STFI24NM60N

STFI24NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，通过优化单元密度和工艺，在600V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡。其核心在于降低了开关过程中的能量损耗，这对于提升高频开关电源的整体效率至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。在25°C壳温（Tc）下，其连续漏极电流（Id）额定值高达17A，提供了可观的电流处理能力。其导通电阻在10V栅源驱动电压、8A漏极电流条件下，最大值仅为190毫欧，这直接转化为更低的导通损耗。同时，最大栅极电荷（Qg）被控制在46nC（@10V），结合1400pF（@50V）的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的开关能量较小，有助于简化驱动设计并减少开关延迟。器件支持高达±30V的栅源电压，增强了抗干扰能力，其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。

在物理封装方面，STFI24NM60N采用通孔安装的I2PAKFP（也称为TO-281）封装。这种封装形式具有良好的机械强度和散热性能，其30W（Tc）的最大功率耗散能力为热管理提供了基础。尽管该产品目前已处于停产状态，但其稳定的性能和经过市场验证的可靠性，使其在特定存量项目或对成本敏感的设计中仍具参考价值。对于需要获取此类经典器件技术资料或库存信息的工程师，可以咨询专业的ST中国代理以获取进一步支持。

得益于其高耐压、低导通阻抗和快速开关特性，这款器件非常适用于需要高效功率转换的场合。典型的应用领域包括离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路和主开关、工业电机驱动与控制的逆变器模块、以及不同断电源（UPS）和电焊机等设备的功率级设计。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，减少热量产生，并有助于实现更紧凑的电源解决方案。

• 型号:STFI24NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STFI24NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括600V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温25°C下达17A的连续漏极电流（Id）处理能力。

该MOSFET的关键优势在于其优化的动态性能。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，同时最大栅极电荷（Qg）仅为46nC，这共同确保了较低的导通损耗和快速的开关速度，有利于提升电源系统的整体效率。器件采用坚固的I2PAKFP（TO-281）通孔封装，最大功耗为30W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求高可靠性的工业环境。