STFU16N65M2

STFU16N65M2是ST意法半导体基于其先进的MDmesh M2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单晶硅上实现了卓越的电荷平衡，其核心优势在于显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的乘积，即优值系数（FOM），从而在高频开关应用中能够有效降低导通损耗和开关损耗，提升整体能效。

该MOSFET具备650V的高漏源击穿电压（Vdss），为离线式开关电源、功率因数校正（PFC）等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为11A，而导通电阻在10V驱动电压、5.5A电流条件下最大仅为360毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的通态功耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在19.5nC（@10V），结合±25V的最大栅源电压（Vgs）耐受能力，意味着它能够被快速驱动且对栅极驱动电路的要求更为宽松，有助于简化设计并提升开关速度。

在电气参数方面，STFU16N65M2的阈值电压Vgs(th)最大为4V，具备良好的噪声抑制能力。其输入电容（Ciss）在100V漏源电压下最大为718pF。器件采用标准的TO-220FP通孔封装，这种封装形式在保证良好散热性能（最大功率耗散25W，壳温）的同时，也便于在各类电源板卡上进行安装和焊接。其结温工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和专业技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

凭借其高耐压、低损耗和快速开关的特性，这款MOSFET非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明领域的LED驱动电源、家用电器中的电机控制驱动以及不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中的功率转换模块。其稳健的设计使其成为工程师在开发新一代高效能电力电子系统时的可靠选择。

• 型号:STFU16N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:718 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STFU16N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格包括650V的漏源电压（Vdss）和11A的连续漏极电流（Id），为高压功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态性能与低损耗特性。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大仅为360毫欧，同时栅极电荷（Qg）被控制在19.5nC的低水平。这种低Rds(on)与低Qg的优化组合，显著降低了导通与开关过程中的能量损耗，特别适合工作在高频条件下的电源拓扑，有助于提升系统整体效率与功率密度。