STFW24N60M2

STFW24N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-3PF通孔封装，专为高电压、高功率应用而设计，其核心架构通过优化单元密度和垂直结构，在600V的漏源电压（Vdss）下实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。这种设计旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。

该器件的一个关键特性是其低导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压和9A漏极电流条件下，典型值仅为190毫欧。这直接转化为更低的功率耗散和更高的电流处理能力，在25°C壳温（Tc）下连续漏极电流（Id）可达18A。同时，其栅极电荷（Qg）被控制在较低水平，在10V Vgs下最大值仅为29nC，这有助于简化驱动电路设计，并实现更快的开关速度，从而减少开关过程中的能量损失。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±25V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在电气参数方面，STFW24N60M2展现了全面的性能。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V @ 250A，确保了良好的噪声免疫能力。输入电容（Ciss）在100V Vds下最大为1060pF，结合低Qg特性，共同优化了开关动态性能。器件的最大功率耗散为48W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购咨询。

得益于其高耐压、大电流和高效能特性，这款MOSFET非常适用于要求苛刻的功率转换领域。典型的应用场景包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、不同断电源（UPS）系统中的逆变和整流模块、以及电机驱动和照明镇流器等。其坚固的TO-3PF封装提供了优良的散热性能，适合需要处理较高瞬时功率的场合。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的技术思路和性能标杆，对于理解高压MOSFET的选型与替代仍具有重要参考价值。

• 型号:STFW24N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO3PF
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:48W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
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STFW24N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh II Plus产品系列。该器件采用TO-3PF通孔封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）和18A（Tc）连续漏极电流，专为高效能、高可靠性的功率开关应用而优化。

其技术亮点在于实现了优异的性能平衡：在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）低至190毫欧（@9A），能有效降低传导损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为29nC（@10V），有利于实现快速开关并降低驱动损耗。这些特性使其在提升系统效率方面表现突出。

该器件适用于工业电源、UPS、电机驱动等高要求领域，其工作结温范围为-55°C至150°C，确保了在宽温环境下的稳定运行。请注意，此型号目前已处于停产状态。