STFW40N60M2

作为ST意法半导体MDmesh II Plus产品家族中的一员，STFW40N60M2是一款采用先进超结技术的高压N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的多外延层设计，通过精确控制电荷平衡，在保持高击穿电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。这种设计理念使得器件在开关速度和导通损耗之间取得了卓越的平衡，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该器件具备多项突出的功能特性。其600V的漏源击穿电压使其能够从容应对工业及消费类电源中常见的交流线路电压波动，提供充足的安全裕量。在25°C壳温条件下，连续漏极电流高达34A，赋予了其强大的电流处理能力。尤为关键的是，其导通电阻在10V驱动电压、17A电流条件下最大值仅为88毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，最大栅极电荷(Qg)仅为57nC，结合±25V的宽栅极电压范围，意味着驱动电路的设计更为灵活，开关损耗得以有效控制，特别适合高频开关应用。

在接口与参数方面，STFW40N60M2采用坚固的ISOWATT-218FX通孔封装，该封装具有良好的热性能和电气隔离特性，最大功率耗散为63W（Tc）。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V，具备良好的抗干扰能力。输入电容Ciss在100V条件下最大值为2500pF，与低栅极电荷共同确保了快速的开关瞬态响应。器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了其在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取产品与相关服务。

基于其高性能参数，该MOSFET非常适合应用于对效率和可靠性要求较高的领域。在开关电源（SMPS）中，它是功率因数校正（PFC）电路和直流-直流变换器主开关的理想选择。在工业领域，可用于电机驱动、不间断电源（UPS）和焊接设备的逆变器部分。此外，在照明领域，如LED驱动和电子镇流器的设计中，其优异的开关特性也能显著提升整体性能。其坚固的封装和宽温度范围也使其适用于汽车电子等环境挑战较大的场合。

• 型号:STFW40N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:63W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
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STFW40N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus系列。该器件采用先进的超结技术，在600V的漏源电压下，实现了低至88毫欧（@10V，17A）的导通电阻与仅57nC的栅极电荷，这一组合显著降低了导通与开关损耗，为高效率功率转换设定了基准。

其额定连续漏极电流高达34A（Tc），并采用ISOWATT-218FX通孔封装，确保了出色的电流处理能力与散热性能。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和±25V的栅极电压耐受能力，进一步保障了其在严苛工业环境及高频开关应用中的稳定性和设计灵活性。