STGB19NC60WT4

STGB19NC60WT4是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用表面贴装DPAK（TO-263AB）封装的高性能绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件隶属于ST先进的PowerMESH产品系列，该架构通过优化的单元设计和沟槽栅技术，在单芯片上实现了低导通损耗与快速开关特性的卓越平衡。其核心设计旨在降低饱和压降V_CE(sat)，同时通过优化内部载流子寿命控制来管理开关过程中的拖尾电流，从而在效率与开关噪声之间取得良好折衷。

该IGBT具备多项突出的电气特性。其集电极-发射极击穿电压高达600V，额定集电极电流为40A，最大功耗为130W，适用于中高功率应用环境。在典型工作条件下（V_GE=15V， I_C=12A），其饱和压降V_CE(on)典型值仅为2.5V，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。开关性能方面，其开关能量分别为81J（开通）和125J（关断），配合25ns（典型）的开通延迟和90ns（典型）的关断延迟，确保了在中等开关频率下的高效与可靠运行。标准电压驱动的输入类型与53nC的栅极电荷，降低了对驱动电路的要求，简化了设计。

在接口与参数层面，该器件采用三引脚（2引线+接片）表面贴装封装，接片作为集电极引脚并兼作主要散热路径，便于PCB布局和散热管理。其工作结温范围宽广，从-65°C延伸至150°C，提供了强大的环境适应性。值得注意的是，尽管该产品目前已处于停产状态，但在其生命周期内，它凭借稳定的性能和ST的工艺保障，成为了许多经典设计的优选。对于仍需此型号进行维护或小批量生产的客户，可以通过授权的ST芯片代理渠道获取库存或替代方案咨询。

基于其600V/40A的耐压与电流等级以及优化的开关特性，STGB19NC60WT4非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用场景包括工业电机驱动、不同断电源（UPS）的逆变级、电焊机、以及各类开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）或逆变电路。其表面贴装封装也使其适用于对空间有一定限制的紧凑型电源模块或驱动板设计。

• 型号:STGB19NC60WT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 40A 130W D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):-
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A
• 功率 - 最大值:130 W
• 开关能量:81J（导通），125J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:53 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns
• 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• 想获取STGB19NC60WT4的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STGB19NC60WT4是意法半导体基于PowerMESH技术制造的一款600V、40A绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用DPAK表面贴装封装。其核心优势在于实现了低导通损耗与快速开关性能的平衡，典型饱和压降V_CE(on)低至2.5V @ 15V， 12A，最大功耗为130W。

该器件具备优异的开关特性，开关能量分别为81J（开）和125J（关），典型开关延迟时间短，有助于提升系统效率并降低开关噪声。其标准电压驱动输入和53nC的栅极电荷简化了驱动电路设计。宽广的工作结温范围（-65°C ~ 150°C）确保了其在严苛工业环境下的稳定性和可靠性。