STP11NK50Z

STP11NK50Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220AB通孔封装，其核心设计旨在实现高耐压与低导通电阻之间的出色平衡，为高压开关应用提供了一个高效可靠的解决方案。其内部架构通过优化的单元设计和工艺制程，有效降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时确保了栅极电荷（Qg）和输入电容（C_iss）等动态参数保持在优异水平，从而在降低导通损耗和开关损耗方面表现突出。

该MOSFET具备500V的漏源击穿电压（V_DSS）和10A的连续漏极电流（I_D）能力，为其在高压环境下的稳定运行提供了坚实基础。其导通电阻在10V驱动电压、4.5A测试条件下典型值仅为520毫欧，这一特性直接转化为更低的通态功耗和更高的整体能效。栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，配合±30V的最大栅源电压，提供了宽裕且安全的驱动设计窗口。其栅极电荷（Qg）最大值控制在68nC，结合1390pF的输入电容，意味着器件具有较快的开关速度，有助于减少开关过程中的能量损失，提升系统频率响应。

在接口与热管理方面，STP11NK50Z采用标准的TO-220AB三引脚（漏极、栅极、源极）封装，便于安装和散热处理。器件在管壳温度（T_C）下最大功率耗散可达125W，结合-55°C至150°C的宽结温（T_J）工作范围，使其能够适应苛刻的环境条件并保持良好的热稳定性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理渠道进行采购，以确保产品的原装正品和完整的供应链服务。

基于其高压、大电流、低损耗的特性组合，STP11NK50Z非常适用于需要高效功率转换和管理的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动与控制、照明镇流器以及不同断电源（UPS）系统。在这些应用中，它能够有效提升系统效率，减少散热需求，并增强整体方案的可靠性。

• 型号:STP11NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:520 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1390 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP11NK50Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心特性在于其500V的高漏源耐压（V_DSS）与10A的连续电流（I_D）能力，为高压功率开关应用提供了坚实的电气基础。

其技术优势体现在优异的导通特性上，在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至520毫欧，有助于显著降低通态损耗。同时，优化的动态参数，如最大68nC的栅极电荷（Qg），确保了快速的开关响应，有利于提升系统效率和工作频率。器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，热性能稳定，适用于要求严苛的工业与消费电子环境。