STP27N3LH5

作为ST意法半导体STripFET V产品系列的一员，STP27N3LH5是一款采用N沟道增强型平面MOSFET技术的功率开关器件。该器件采用成熟的TO-220AB通孔封装，提供了坚固的物理结构和良好的散热能力，其结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。尽管该型号目前已处于停产状态，但其设计所体现的技术特性在特定应用领域仍具有参考价值。

该MOSFET的核心优势在于其优异的导通电阻特性。在10V栅极驱动电压（Vgs）和13.5A漏极电流（Id）的测试条件下，其导通电阻（Rds(On)）典型值仅为20毫欧。这一低导通电阻直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，结合4.5V至10V的推荐驱动电压范围，使其能够与多种逻辑电平控制器和微处理器轻松兼容，简化了驱动电路设计。

在动态性能方面，STP27N3LH5表现出色。其栅极总电荷（Qg）在5V Vgs条件下最大值仅为4.6nC，输入电容（Ciss）在25V Vds条件下最大值为475pF。这些低电荷和电容参数意味着器件在开关过程中所需的驱动能量更少，从而可以实现更高的开关频率并显著降低开关损耗，这对于高频开关电源和电机驱动应用尤为重要。其漏源击穿电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达27A，最大功率耗散为45W，为设计提供了充足的余量。

凭借30V的耐压和高达27A的电流处理能力，这款器件非常适合用于低压大电流的功率转换场景。典型应用包括低压DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路（如无人机电调、小型伺服驱动器）、以及各类负载开关和电源管理模块。对于需要此类规格元器件的工程师，可以通过正规的ST代理渠道咨询替代型号或库存信息，以确保设计的连续性和可靠性。其稳健的设计平衡了导通损耗、开关性能与成本，是许多成熟工业与消费电子产品的经典选择。

• 型号:STP27N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 27A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:475 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP27N3LH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET V系列。该器件采用TO-220AB封装，核心规格为30V漏源电压（Vdss）和27A连续漏极电流（Id），专为高效功率开关应用而设计。

其关键技术优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs下典型值仅为20毫欧，可显著降低传导损耗。同时，极低的栅极电荷（最大4.6nC @ 5V）确保了出色的高频开关性能，有助于提升整体系统效率。器件支持宽范围栅极驱动，兼容逻辑电平控制，工作结温高达175°C，具备良好的鲁棒性。