STP8NS25

STP8NS25是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其MESH OVERLAY产品系列。该器件采用成熟的平面MOSFET技术，通过优化的单元结构和制造工艺，在TO-220AB通孔封装内实现了功率密度与电气性能的平衡。其核心设计旨在提供稳健的开关性能与较低的导通损耗，适用于需要中等功率处理能力的应用环境。

该器件具备250V的漏源击穿电压（Vdss），为其在离线式开关电源、电机驱动等存在电压应力的场合提供了充足的安全裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为8A，结合80W的最大功率耗散能力，使其能够处理可观的功率水平。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、4A漏极电流条件下典型值为450毫欧，较低的导通电阻直接转化为更低的通态损耗，有助于提升系统整体效率。栅极电荷（Qg）最大值为51.8nC @ 10V，结合770pF的输入电容（Ciss），意味着该器件具有相对适中的开关特性，在保证驱动简易性的同时，有助于控制开关过程中的损耗。

STP8NS25的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，标准驱动电压为10V，最大栅源电压可承受±20V，这为栅极驱动电路的设计提供了明确的参考和可靠的保护边界。其工作结温（TJ）高达150°C，确保了器件在高温环境下的稳定运行能力。作为一款已宣布停产的产品，其设计成熟、性能稳定，在存量市场或对长期可靠性有特定要求的延续性设计中仍具参考价值。用户可通过官方授权的ST代理渠道咨询库存或替代方案信息。

基于其电压与电流规格，STP8NS25典型应用于AC-DC开关电源的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、低压电机驱动控制器、DC-DC转换器以及各类电子镇流器和逆变器模块。TO-220AB封装形式便于通过散热片进行有效的热管理，非常适合在工业控制、消费类电源适配器及照明系统等领域的功率开关与线性放大电路中扮演关键角色。

• 型号:STP8NS25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 8A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:770 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP8NS25的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP8NS25是ST意法半导体MESH OVERLAY系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装。该器件核心特性包括250V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id），为中等功率应用提供了坚实的电压与电流处理能力。

其关键性能优势体现在较低的导通电阻（450毫欧 @ 10V, 4A）与适中的栅极电荷（51.8nC @ 10V），这有助于降低通态损耗并平衡开关性能。器件支持高达150°C的工作结温，并具备80W的功率耗散能力，确保了在苛刻环境下的可靠性与散热效能。