STGB35N35LZT4

STGB35N35LZT4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的PowerMESH技术平台开发的一款绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件采用表面贴装型DPAK（TO-263AB）封装，集成了逻辑电平输入栅极驱动接口，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心架构优化了导通损耗与开关速度之间的平衡，通过精密的芯片设计和封装工艺，确保了在高压、大电流工况下的可靠性与稳定性。

该器件具备多项突出的功能特性。其集电极-发射极击穿电压高达345V，最大连续集电极电流为40A，脉冲电流能力可达80A，展现出强大的功率处理能力。在导通特性方面，在4.5V栅极驱动电压、15A集电极电流条件下，其饱和压降Vce(on)典型值仅为1.7V，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）为49nC，较低的驱动需求简化了驱动电路设计，并有助于降低开关损耗。

在动态性能参数上，在300V、15A、5V栅压的标准测试条件下，其开启延迟时间为1.1s，关断延迟时间为26.5s。该器件额定最大功耗为176W，并支持宽泛的-55°C 至 175°C结温工作范围，使其能够适应苛刻的环境条件。其逻辑电平输入特性意味着它可以直接由微控制器或低电压逻辑电路驱动，极大地提升了系统设计的灵活性与集成度。对于需要可靠货源和全面技术支持的设计项目，可以咨询官方授权的ST一级代理。

综合其技术规格，STGB35N35LZT4非常适用于要求高效率和高可靠性的中功率开关应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）和主逆变级、不间断电源（UPS）的DC-AC逆变模块、电焊机以及工业电机驱动和变频器中的功率开关单元。其表面贴装封装也使其成为对PCB空间和自动化生产有较高要求的现代电力电子设备的理想选择。

• 型号:STGB35N35LZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 345V 40A TO-263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:345 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，15A
• 功率 - 最大值:176 W
• 开关能量:-
• 输入类型:逻辑
• 栅极电荷:49 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:1.1s/26.5s
• 测试条件:300V，15A，5V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
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STGB35N35LZT4是ST意法半导体推出的一款采用PowerMESH技术的345V、40A IGBT，采用DPAK表面贴装封装。该器件针对中高功率开关应用进行了优化，在4.5V栅极电压下提供低至1.7V的饱和压降，有效降低了导通损耗。其逻辑电平输入接口简化了驱动设计，而高达176W的功率处理能力和-55°C至175°C的宽结温范围确保了其在严苛环境下的稳定运行。

凭借其优异的电气特性，该器件能够显著提升系统的整体能效和功率密度，是开关电源、UPS、电焊设备及工业电机驱动等应用的可靠功率开关解决方案。