STGB3HF60HD

STGB3HF60HD是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款表面贴装型绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件采用标准输入类型设计，其核心架构在单芯片上集成了MOSFET的快速开关特性和双极型晶体管的高电流密度、低导通压降优势，实现了功率与效率的良好平衡。其集电极-发射极击穿电压高达600V，最大集电极电流为7.5A，脉冲电流能力可达18A，为中小功率应用提供了可靠的电压与电流裕量。

该器件的一个显著特点是其优化的导通与开关性能。在典型工作条件下（Vge=15V， Ic=1.5A），其集电极-发射极饱和压降Vce(on)最大值仅为2.95V，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。同时，其开关特性经过精心调校，开启延迟时间（Td(on)）为11ns，关断延迟时间（Td(off)）为60ns，开关能量分别为19J（开启）和12J（关断），结合仅12nC的低栅极电荷，使得它在中等开关频率下能够实现快速、干净的开关动作，有效减少开关损耗并降低电磁干扰（EMI）。其反向恢复时间（trr）为85ns，进一步优化了在续流或桥式电路中的表现。

在接口与热参数方面，STGB3HF60HD采用行业通用的DPak（TO-263-3）封装，便于表面贴装（SMT）生产并具有良好的散热能力。其最大功耗为38W，结温工作范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定性和长寿命。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品的技术支持和库存信息。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和参数特性使其在特定领域仍有应用价值。

基于其600V/7.5A的额定规格和平衡的性能表现，该器件非常适用于要求结构紧凑、效率较高的离线式开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）的功率因数校正（PFC）或逆变级、小型电机驱动与变频器、以及电焊机等工业控制领域。其表面贴装封装也契合了现代电子设备向高密度、自动化生产发展的趋势。

• 型号:STGB3HF60HD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 7.5A D2PAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:7.5 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.95V @ 15V，1.5A
• 功率 - 最大值:38 W
• 开关能量:19J（导通），12J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:12 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:11ns/60ns
• 测试条件:400V，1.5A，100 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):85 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
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STGB3HF60HD是意法半导体生产的一款600V、7.5A表面贴装IGBT，采用DPak（TO-263）封装。该器件在15V栅极驱动、1.5A集电极电流条件下，最大饱和压降仅为2.95V，有助于降低导通损耗。其开关特性均衡，开启与关断延迟时间分别为11ns和60ns，总开关能量较低，并具备12nC的低栅极电荷，适合中等频率的开关应用。

该IGBT支持高达150°C的结温工作，最大功耗为38W，提供了良好的热性能边界。其600V的击穿电压和18A的脉冲电流能力为设计提供了充足的余量。这些参数共同定义了一款适用于紧凑型、高效率功率转换解决方案的可靠功率开关器件。