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STGF3NB60FD

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分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IGBT 600V 6A TO-220FP
原厂封装:封装:TO-220FP
优势价格,STGF3NB60FD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STGF3NB60FD的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STGF3NB60FD是ST意法半导体基于其成熟的PowerMESH技术平台开发的一款分立式绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该器件采用TO-220FP通孔封装,集成了快速恢复二极管,构成了一个紧凑且高效的功率开关解决方案。其内部结构经过优化,在沟槽栅场截止型技术的基础上,实现了低导通压降与快速开关特性的良好平衡,旨在提升中低功率应用的能效与可靠性。

该IGBT的核心优势在于其600V的集射极击穿电压6A的连续集电极电流能力,这使其能够稳健地应对工业级应用中的电压应力和负载变化。其导通特性突出,在典型工作条件下(Vge=15V, Ic=3A),最大饱和压降Vce(on)仅为2.4V,这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。开关性能方面,得益于优化的栅极设计,其栅极电荷(Qg)低至16nC,结合12.5ns的开启延迟与105ns的关断延迟(测试条件:480V, 3A),确保了在高频开关电源或电机驱动电路中能够实现快速的动态响应,同时开关能量损耗得到有效控制。

在接口与热管理层面,STGF3NB60FD采用标准的输入类型,与常见的驱动电路兼容性好。其TO-220FP封装提供了优异的散热路径,结合高达150°C的最大结温(TJ)和25W的功率耗散能力,为系统设计提供了充足的热裕量,增强了在恶劣环境下的长期运行稳定性。其内部集成二极管的反向恢复时间(trr)为45ns,有助于降低续流过程中的开关损耗和电磁干扰。对于需要可靠元器件供应的项目,可以通过官方授权的ST代理渠道获取技术支持和产品信息。

这款器件主要面向要求高效率和高可靠性的中功率应用场景。它非常适用于开关模式电源(SMPS)的功率因数校正(PFC)电路和直流-直流转换器中的主开关。此外,在诸如空调压缩机、风扇驱动、小型工业变频器等电机控制领域,其快速的开关速度和稳健的电流处理能力能够有效驱动电机,实现平滑的调速和节能运行。尽管该产品已处于停产状态,但其设计理念和性能参数对于理解同类功率器件的选型与替代仍具有重要的参考价值。

  • 型号:STGF3NB60FD
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220FP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 600V 6A TO-220FP
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,3A
  • 功率 - 最大值:25 W
  • 开关能量:125J(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:16 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:12.5ns/105ns
  • 测试条件:480V,3A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):45 ns
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装:TO-220FP
  • 想获取STGF3NB60FD的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STGF3NB60FD是ST意法半导体推出的一款600V、6A分立式IGBT,采用TO-220FP封装并集成快速恢复二极管。该器件隶属于PowerMESH产品系列,其设计重点在于实现低导通损耗与快速开关特性的优化组合。

其关键电气参数包括:最大集射极电压600V,连续集电极电流6A(脉冲电流可达24A),在15V栅极驱动、3A集电极电流条件下的典型饱和压降仅为2.4V。开关特性方面,其栅极电荷低至16nC,开关延迟时间短,并具备45ns的反向恢复时间,这些特性共同保障了其在频繁开关应用中的高效能与低损耗。器件最大功耗为25W,最高结温达150°C,提供了可靠的热性能边界。

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