STH3N150-2

作为ST意法半导体PowerMESH系列中的一员，STH3N150-2是一款采用先进HPAK封装的N沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物）技术构建，其核心架构旨在实现高压环境下的高效功率转换与可靠开关。其设计重点在于优化了单元密度与导通电阻之间的平衡，从而在高达1500V的漏源电压（Vdss）下，依然能提供出色的电气性能与热稳定性。

该芯片的功能特点突出体现在其高压处理能力与开关效率上。高达1500V的击穿电压使其能够从容应对工业级高压应用中的电压应力。在导通特性方面，其导通电阻（Rds(on)）在1.3A电流和10V驱动电压下典型值为9欧姆，较低的导通损耗有助于提升系统整体能效。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为29.3nC，结合10V的标准驱动电压，意味着开关速度快、驱动电路设计简单且开关损耗低，这对于高频开关应用至关重要。

在接口与关键参数上，STH3N150-2在25°C壳温（Tc）下可支持2.5A的连续漏极电流，最大功率耗散为140W，确保了其强大的功率处理能力。其栅源电压（Vgs）耐受范围宽达±30V，提供了良好的抗干扰能力。表面贴装型HPAK封装不仅优化了散热性能，其紧凑的占位面积也适应了高功率密度板级设计的需求。该器件结温（TJ）最高可工作于150°C，展现了其坚固的可靠性。用户可通过官方ST代理获取完整的技术支持与供应链服务。

基于上述特性，STH3N150-2非常适合于需要高压开关和高效能转换的应用场景。典型应用包括工业开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关电路、UPS（不间断电源）系统、高压DC-DC转换器以及太阳能逆变器中的功率级。其高耐压和良好的开关性能，使其成为工程师在设计和升级高压、高效率功率电子系统时的一个可靠选择。

• 型号:STH3N150-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 欧姆 @ 1.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:939 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），变体
• 想获取STH3N150-2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STH3N150-2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件采用HPAK表面贴装封装，核心优势在于其高达1500V的漏源击穿电压（Vdss）和2.5A的连续漏极电流处理能力，专为高压、高可靠性应用而设计。

其技术参数表现出优异的开关效率，最大栅极电荷（Qg）仅为29.3nC，且导通电阻（Rds(on)）在典型工作条件下低至9欧姆，这有效降低了导通与开关损耗。结合140W的最大功率耗散和150°C的最高工作结温，STH3N150-2为工业电源、能源转换等严苛环境提供了坚固且高效的功率开关解决方案。