STGP14N60D

STGP14N60D是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的PowerMESH技术平台开发的一款分立式绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件采用标准TO-220-3通孔封装，集成了MOSFET的高速开关特性和双极型晶体管的低导通压降优势，旨在为功率转换应用提供一个高效、可靠的解决方案。其内部结构经过优化，实现了载流子寿命的精确控制，从而在导通损耗和开关损耗之间取得了良好的平衡。

该器件具备600V的集电极-发射极击穿电压和25A的连续集电极电流能力，脉冲电流可达50A，展现出强大的功率处理潜能。其核心性能指标之一是在典型工作条件下（Vge=15V， Ic=7A）的饱和压降Vce(on)最大值仅为2.1V，这意味着在导通期间能够有效降低传导损耗，提升系统整体效率。其最大功耗为95W，反向恢复时间（trr）为37ns，这有助于减少开关过程中的能量损失，并降低电磁干扰（EMI）。作为一款标准输入型IGBT，它兼容常见的驱动电路设计，便于工程师进行系统集成。

在接口与参数方面，STGP14N60D的标准TO-220封装提供了优异的散热性能和机械坚固性，适合通过散热器进行有效热管理。其电气参数，如390V、7A、10欧姆、15V的测试条件，明确界定了其开关特性的评估基准，为用户的设计验证提供了清晰依据。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理渠道获取相关产品信息与供应链服务。

该IGBT典型应用于要求中等功率等级和良好性价比的领域。它非常适合用于开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路和逆变级、电机驱动与变频器（如家用电器、工业风扇和泵的控制），以及不同断电源（UPS）和焊接设备的功率开关部分。在这些场景中，其600V的耐压足以应对整流后的交流线路电压，而较低的导通压降和合理的开关速度有助于构建高效、紧凑的功率转换单元。

• 型号:STGP14N60D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 25A TO-220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:25 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，7A
• 功率 - 最大值:95 W
• 开关能量:-
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:-
• 25°C 时 Td（开/关）值:-
• 测试条件:390V，7A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):37 ns
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
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STGP14N60D是ST意法半导体推出的一款分立IGBT，隶属于PowerMESH产品系列。该器件采用TO-220封装，核心电气规格为600V集射极击穿电压和25A连续集电极电流，脉冲电流能力达50A，最大功耗95W。

其关键特性在于优异的导通性能，在15V栅极驱动、7A集电极电流条件下，饱和压降Vce(on)典型值仅为2.1V，这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，37ns的反向恢复时间有助于提升开关效率并优化电磁兼容性。这些参数使其成为中功率开关电源、电机驱动等应用的高效开关解决方案。