STGW100H65FB2-4

STGW100H65FB2-4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的HB2产品系列开发的一款高性能单管IGBT。该器件采用了成熟的沟槽型场截止（Trench Gate Field-Stop）技术，这一架构通过在集电极侧引入一个场截止层，有效优化了漂移区的电场分布，从而在保持高击穿电压的同时，显著降低了器件的饱和压降和开关损耗，实现了导通与开关性能的优异平衡。

其核心功能特性体现在卓越的电气参数上。该IGBT具备650V的集射极击穿电压和高达145A的连续集电极电流能力，脉冲电流（Icm）更可达300A，展现出强大的功率处理能力。在关键的导通损耗方面，其在15V栅极驱动电压、100A集电极电流条件下的典型饱和压降（Vce(on)）仅为1.8V，这意味着在导通期间的能量损耗被控制在极低水平。同时，其开关性能同样出色，总栅极电荷为288nC，开关能量分别为1.06mJ（开启）和1.14mJ（关断），配合标准输入类型，便于驱动电路的设计与匹配，有助于提升系统整体效率。

在接口与热管理方面，该器件采用经典的TO-247-4四引脚通孔封装，额外的开尔文发射极引脚有助于实现更优的栅极驱动回路，减少寄生电感对开关速度的影响，进一步提升开关性能的稳定性和可控性。其最大功耗为441W，结温工作范围宽达-55°C至175°C，为在恶劣环境或高功率密度应用中的稳定运行提供了保障。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过正规的ST授权代理渠道进行采购与咨询。

综合其高电压、大电流、低损耗及坚固的封装特性，STGW100H65FB2-4非常适合于要求高效率和高可靠性的功率转换应用场景。典型应用包括工业电机驱动、不同断电源（UPS）、光伏逆变器、电焊机以及各类大功率开关电源等。在这些领域中，它能够作为核心开关元件，有效提升系统的功率密度和能源转换效率。

• 型号:STGW100H65FB2-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 145A TO-247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:145 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，100A
• 功率 - 最大值:441 W
• 开关能量:1.06mJ（导通）， 1.14mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:288 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/141ns
• 测试条件:SOT-323FL
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-4
• 供应商器件封装:TO-247-4
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STGW100H65FB2-4是ST意法半导体推出的一款高性能650V、145A单管IGBT，隶属于HB2产品系列。该器件采用沟槽型场截止技术，在15V栅极电压、100A电流条件下，其最大饱和压降仅为1.8V，实现了优异的导通性能与低导通损耗。

其开关特性同样突出，总栅极电荷为288nC，开关能量较低（开启1.06mJ，关断1.14mJ），有助于减少开关损耗并提升系统频率。器件采用TO-247-4封装，提供独立的开尔文发射极引脚以优化驱动，最大功耗441W，工作结温范围宽至-55°C ~ 175°C，确保了在高要求应用中的鲁棒性和可靠性。