STGW30N90D

STGW30N90D是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款基于PowerMESH技术平台的高性能绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件采用先进的沟槽栅场截止技术，在单一芯片上实现了MOSFET的快速开关特性与双极型晶体管的高电流密度、低导通压降优势的结合。其内部结构经过优化，旨在降低饱和压降（Vce(sat)）和开关损耗，从而在高压、大电流工作条件下提供卓越的能效表现。

该器件具备900V的集电极-发射极击穿电压和60A的连续集电极电流能力，脉冲电流（Icm）更可高达135A，展现出强大的过载耐受性。其标准输入类型设计确保了与多数驱动电路的兼容性。在导通特性方面，在15V栅极电压、20A集电极电流的测试条件下，其最大饱和压降仅为2.75V，这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。同时，其开关性能均衡，开启延迟时间（Td(on)）为29ns，关断延迟时间（Td(off)）为275ns，结合1.66mJ（开启）与4.44mJ（关断）的开关能量值，使其在中等频率的硬开关应用中能保持较高效率。

在接口与热管理方面，STGW30N90D采用工业标准的TO-247-3通孔封装，便于安装和散热处理。其最大功耗为220W，结合宽泛的结温工作范围（-55°C至150°C），为系统设计提供了充足的散热设计余量。栅极电荷（Qg）为110nC，这一参数对于评估驱动电路的需求和开关速度至关重要。用户可通过官方授权的ST代理获取完整的技术资料、应用支持以及供应链服务。

凭借其高电压、大电流的处理能力以及优化的开关特性，该器件非常适用于要求高可靠性和高效率的功率转换领域。典型应用场景包括工业电机驱动、不同断电源（UPS）、太阳能逆变器以及焊接设备等中高功率系统。在这些应用中，它能够有效承担主功率开关的角色，帮助系统实现紧凑的设计、更高的功率密度以及更长的运行寿命。

• 型号:STGW30N90D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 900V 60A TO-247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:900 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):135 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，20A
• 功率 - 最大值:220 W
• 开关能量:1.66mJ（导通），4.44mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:110 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/275ns
• 测试条件:900V，20A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):152 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 想获取STGW30N90D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STGW30N90D是ST意法半导体PowerMESH系列中的一款高压IGBT，采用TO-247封装。其核心电气参数定义了其在严苛应用环境下的性能边界：900V的集射极击穿电压和60A的连续集电极电流能力，确保了器件在高功率开关应用中的基本可靠性。

该器件的关键优势体现在其低导通损耗与均衡的开关性能上。在典型工作点（Vge=15V， Ic=20A）下，最大饱和压降仅为2.75V，有助于降低系统导通损耗。同时，其开关能量（Eon 1.66mJ， Eoff 4.44mJ）与开关时间参数经过优化，使其在数十kHz的开关频率下能维持较高的整体效率。220W的最大功耗和150°C的最高结温为散热设计提供了明确指导。