STGWT60H60DLFB

STGWT60H60DLFB是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用TO-3P-3L封装的高性能绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件采用先进的沟槽型场截止（Trench Field Stop）技术，这一架构通过在集电极侧引入一个场截止层，有效优化了漂移区的电场分布，从而在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了器件的饱和压降（Vce(sat)）和整体导通损耗。其紧凑的沟槽栅结构不仅提升了单元密度，还优化了载流子注入效率，为实现高电流密度与快速开关特性的平衡奠定了物理基础。

在电气特性方面，该器件展现出卓越的性能。其集电极-发射极额定电压高达600V，能够从容应对工业级三相交流供电环境下的电压应力。在15V栅极驱动电压、60A集电极电流的典型工作条件下，其最大饱和压降仅为2V，这意味着在导通期间产生的功耗极低，有助于提升系统整体能效。同时，其标称集电极电流为80A，并支持高达240A的脉冲电流能力，为电机启动、负载突变等瞬时大电流场景提供了充足的裕量。其标准输入特性简化了栅极驱动电路的设计，而306nC的栅极电荷与160ns的典型关断延迟时间，共同指向了其具备良好的开关速度，有助于降低高频应用中的开关损耗。

该IGBT采用坚固的TO-3P-3L（SC-65-3）通孔封装，这种封装形式以其优异的导热性能和机械强度著称，能够将芯片工作时产生的热量高效地传递至散热器，确保器件在高达175°C的结温（Tj）下稳定运行，其最大功耗为375W。在400V直流母线电压、60A负载电流、5欧姆栅极电阻及15V驱动电压的测试条件下，其关断过程产生的开关能量为626J，这一参数对于评估逆变器或开关电源的开关损耗至关重要。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）使其能够适应苛刻的工业环境。

基于其600V/80A的功率等级、低导通压降与稳健的开关特性，STGWT60H60DLFB非常适用于要求高可靠性与高效率的中大功率应用领域。典型应用包括工业电机驱动、变频器、不同断电源（UPS）以及电焊机等功率转换系统。在构建此类系统时，工程师可通过专业的ST授权代理获取完整的技术资料、样品支持与供应链服务，以确保设计的顺利推进与量产稳定。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计中所体现的场截止IGBT技术理念与性能平衡，对于理解同类功率器件选型仍具有重要参考价值。

• 型号:STGWT60H60DLFB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-3P
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:626J（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:306 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:-/160ns
• 测试条件:400V，60A，5 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
• 想获取STGWT60H60DLFB的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STGWT60H60DLFB是意法半导体生产的一款600V、80A沟槽型场截止IGBT，采用TO-3P-3L封装。其核心优势在于较低的导通损耗，在15V栅极驱动、60A电流条件下，最大饱和压降仅为2V，同时支持高达240A的脉冲电流能力，为负载突变提供了保障。

该器件具备标准的输入特性和良好的开关性能，其栅极电荷为306nC，关断延迟时间为160ns，在测试条件（400V， 60A， 5欧姆， 15V）下关断能量为626J。坚固的封装支持高达175°C的结温，最大功耗为375W，确保了在工业环境下的高可靠性，适用于电机驱动、变频器等中高功率转换场景。