STH10N80K5-2AG

作为ST意法半导体旗下符合AEC-Q101标准的汽车级产品系列成员，STH10N80K5-2AG是一款采用先进沟槽栅技术制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现高电压下的低导通损耗与优异的开关性能平衡。该器件采用H2PAK-2封装，这种封装形式不仅提供了卓越的散热能力，其紧凑的表面贴装设计也利于在空间受限的高功率密度应用中进行PCB布局。

该器件在电气性能上表现突出，其800V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在高压母线环境下的可靠运行，为系统提供了充足的电压裕量。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接转化为更低的传导损耗，有助于提升整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于降低开关过程中的驱动损耗并提升开关速度，这对于高频开关应用至关重要。

在接口与参数层面，STH10N80K5-2AG在壳温（Tc）条件下可支持高达8A的连续漏极电流，最大功耗为121W，展现了其强大的电流处理与散热能力。其栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±30V的Vgs，增强了驱动的鲁棒性。开启阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，提供了良好的噪声抑制能力。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，完全满足汽车电子及工业环境对极端温度的要求。对于需要可靠供应链与技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的详细信息与供货服务。

凭借其高耐压、低导通电阻及汽车级可靠性，该MOSFET非常适用于要求严苛的功率转换场景。典型应用包括电动汽车的车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、工业电机驱动、不间断电源（UPS）的功率级以及照明系统的功率开关。在这些应用中，它能够有效提升系统效率、功率密度和长期运行稳定性。

• 型号:STH10N80K5-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2Pak-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 8A H2PAK-2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:680 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:426 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:121W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2Pak-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH10N80K5-2AG是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-2表面贴装封装，属于通过AEC-Q101认证的汽车级产品系列。其核心优势在于800V的高漏源电压（Vdss）与优化的低导通电阻特性，能够在高压应用中有效降低传导损耗。

该器件在壳温条件下支持8A连续电流，最大功耗达121W，并具备宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C TJ），确保了在恶劣环境下的高可靠性。其栅极电荷与输入电容参数经过优化，有利于实现高效的开关性能。这些特性使其成为汽车电子和工业电源等高要求功率开关应用的理想选择。