STH180N10F3-2

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STH180N10F3-2是一款采用先进STripFET III技术平台的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，通过精细的单元结构和沟槽栅工艺，在硅片层面实现了卓越的功率密度与开关性能平衡。其核心优势在于极低的单位面积导通电阻，这直接转化为在高电流工作状态下更小的传导损耗，对于提升系统整体效率至关重要。该技术平台确保了器件在高温环境下依然能保持稳定的电气特性，为苛刻应用提供了可靠性保障。

在电气性能方面，100V的漏源击穿电压（Vdss）使其适用于多种中压功率转换场景。其最突出的特性之一是极低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动电压、60A漏极电流条件下，典型值仅为4.5毫欧。这一参数对于降低功率损耗、减少散热需求意义重大。同时，器件具备高达180A的连续漏极电流（Id）承载能力，配合315W的最大功率耗散，展现出强大的功率处理潜能。其栅极电荷（Qg）典型值为114.6nC @ 10V，较低的栅极电荷有助于降低开关损耗，实现更高频率的开关操作，这对于开关电源等追求高效率和高功率密度的应用尤为有利。

该MOSFET的标准驱动电压为10V，栅源电压（Vgs）最大耐受范围为±20V，提供了宽裕且安全的驱动设计空间。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V @ 250A，具备良好的噪声抑制能力。器件采用表面贴装型的H2PAK-2封装，这种封装形式具有良好的热性能和功率循环能力，其紧凑的占板面积有利于实现高功率密度的PCB布局。工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了其在工业级和汽车级环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过专业的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高电流能力、低导通电阻和优异的开关特性，STH180N10F3-2非常适合作为主开关或同步整流元件，广泛应用于服务器和电信设备的DC-DC转换器、不间断电源（UPS）以及电机驱动和逆变器系统中。在电动工具、工业自动化控制器和新能源领域如太阳能逆变器的功率级设计中，它也能有效提升能效和功率密度，是实现高效、紧凑型电源解决方案的关键元器件之一。

• 型号:STH180N10F3-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:114.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6665 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH180N10F3-2是ST意法半导体基于STripFET III技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件设计用于中高功率应用，其核心电气参数包括100V的漏源电压（Vdss）和高达180A（Tc）的连续漏极电流（Id）处理能力，展现出强大的功率承载性能。

其关键优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、60A Id条件下，Rds(on)最大值仅为4.5毫欧，这能显著降低传导损耗，提升系统效率。同时，114.6nC（@10V）的典型栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，降低开关损耗。器件采用H2PAK-2表面贴装封装，工作结温范围宽达-55°C至175°C，适用于对效率和可靠性要求严苛的工业及汽车电子环境。