STH180N4F6-2

STH180N4F6-2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET F6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现极低的导通损耗和卓越的开关性能。其核心设计通过精细的单元结构和先进的沟槽工艺，在保证高电流处理能力的同时，显著降低了栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），这对于高频开关应用中的效率提升至关重要。

该MOSFET的关键特性在于其优异的导通电阻（RDS(on)）性能，在10V栅极驱动电压和60A漏极电流条件下，典型值仅为2.4毫欧。这一低阻抗特性直接转化为更低的传导损耗，使其在承载大电流时温升控制更为出色。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）设计稳健，最大值仅为4.5V，确保了在复杂噪声环境下的驱动可靠性。器件采用坚固的H2PAK-2封装，这种表面贴装型封装提供了优异的散热性能和功率循环能力，最大结温（Tj）可达175°C，适合在恶劣的热环境下稳定工作。

在电气参数方面，STH180N4F6-2的额定漏源电压（Vdss）为40V，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达120A，最大功率耗散为190W。其栅极电荷（Qg）最大值控制在130nC（@10V），结合7735pF的输入电容（Ciss），实现了开关速度与驱动损耗的良好平衡。这些参数共同定义了其在同步整流、电机驱动和DC-DC变换器中的高效表现。对于需要可靠货源和深度技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购咨询。

得益于其高电流密度和快速开关特性，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场合。典型应用包括服务器和通信设备的同步整流电路、工业自动化中的电机控制与驱动模块，以及各类大电流DC-DC降压或升压转换器。其稳健的设计使其能够胜任高边或低边开关角色，是构建高效、紧凑型电源解决方案的核心功率开关元件。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代型号或生命周期管理方案。

• 型号:STH180N4F6-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7735 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH180N4F6-2是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F6产品系列。该器件采用H2PAK-2封装，额定电压40V，在壳温条件下可连续通过高达120A的电流，其核心优势在于极低的导通电阻，典型值仅为2.4毫欧（@60A, 10V），能显著降低功率应用中的传导损耗。

此外，其栅极电荷（Qg）最大值被优化至130nC，有助于减少开关损耗并提升整体效率，适用于高频开关场景。器件结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在高温环境下的可靠运行。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和大电流DC-DC转换器等高效能电源设计的理想选择。